一种基于CVD法的纳米碳管微观分析及场致发射特性的研究

将化学气相沉积法（CVD）制备的纳米碳管提纯后，用透射电镜（TEM）观测了它的微观结构，通过实验对纳米碳管在不同温度下生长的结构特性进行了分析比较，得出了纳米碳管生长的最佳温度为750℃；并对纳米碳管粉体的拉曼（Raman）光谱进行了分析，得到了与透射电镜观测相一致的结论；最后测试了纳米碳管的场致发射特性．

钛基纳米金刚石FED驱动电路设计

简要介绍了钛基纳米金刚石涂层的场发射阴极的工艺。设计了AT89S51单片机为控制核心的逻辑电路和以高压驱动芯片IR2113与高压MOS管为主的高压驱动电路,采用51汇编语言编写了控制驱动程序,在16×16矩阵选址的钛基纳米金刚石涂层的FED器件上实现了简单图形和字符的动态显示。给出了实现大屏幕矩阵显示的驱动电路的单片机与后级逻辑控制电路的连接方法。

纳米金刚石场发射显示器集成化驱动系统研制

目的结合纳米金刚石场发射显示器的特点,研究与纳米金刚石场发射显示器适配的集成化驱动电路。方法以集成数据驱动芯片HV632PG和HV5308为核心,搭建灰度调制和扫描显示电路;以半桥驱动芯片IR2235为核心,搭建前后级低高压隔离转换电路。结果集成驱动系统输出电压可达1 000V,灰度等级达256,能够实现简单图形和字符的动态显示,整体性能良好。结论集成化驱动系统线路简单、工作可靠,能满足小屏幕场发射显示器单色显示的任务,为金刚石场发射显示器的产品化打下一定的基础。