一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.

运算放大器的频域响应与建立时间

结合CMOS运算放大器,从一阶系统着手,重点分析二阶系统的频域响应与建立时间的关系,并给出合理设计建议.最后结合分析,设计一个在速度、精度、功耗和输出摆幅等方面都能有良好表现的运算放大器。