采用平面波展开法研究一维全息光子晶体的禁带

为了研究一维全息光子晶体的禁带性质,采用平面波展开法做了相关计算,得到了一维全息光子晶体的禁带会受到入射光角度改变以及不同偏振特性影响的结论。在制作光束正入射时,介质中会产生完全禁带。当制作光束斜入射到介质表面上时,禁带不再是完全带隙:随着制作光束照射到介质表面的入射角增大,禁带位置移向高频区域。这一结果与用传输矩阵法计算得到的结果一致。并计算了不同偏振态下禁带宽度随入射角变化的关系:对于S偏振光,禁带宽度随着入射光角度的增加而变大,对于P偏振光,禁带宽度随着入射光角度的增加而减小。为开展下一步的实验工作提供了理论依据。