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5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端 被引量:2
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作者 焦世龙 陈堂胜 +5 位作者 钱峰 冯欧 蒋幼泉 李拂晓 邵凯 叶玉堂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期587-591,共5页
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增... 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图. 展开更多
关键词 金属-半导体-金属光探测器 分布放大器 光接收机 眼图
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5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端 被引量:1
2
作者 焦世龙 陈堂胜 +7 位作者 蒋幼泉 冯欧 冯忠 杨立杰 李拂晓 陈辰 邵凯 叶玉堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期426-426,共1页
关键词 接收机前端 单片集成 PHEMT GAAS b/s MSM 前置放大器 光探测器
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单片集成GaAsPIN/PHEMT光接收机前端工艺研究 被引量:1
3
作者 冯忠 焦世龙 +5 位作者 冯欧 杨立杰 蒋幼泉 陈堂胜 陈辰 叶玉堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期540-544,共5页
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结... 利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。 展开更多
关键词 单片集成 光探测器 分布放大器 光接收机 眼图
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5Gb/s单片集成光接收机前端模拟仿真及研制
4
作者 范超 陈堂胜 +5 位作者 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期29-32,72,共5页
基于0.5μmGaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性。光... 基于0.5μmGaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性。光接收机最高工作速率5Gb/s,其中,探测器光敏面直径50μm,电容0.51pF,暗电流小于30nA。跨阻放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz1/2。 展开更多
关键词 光电集成电路 PHEMT PIN 跨阻放大器 ATLAS
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一种850nm单片集成光接收机前端
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作者 冯欧 冯忠 +5 位作者 杨立杰 焦世龙 蒋幼泉 陈堂胜 李拂晓 叶玉堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期350-355,共6页
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近... 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。 展开更多
关键词 金属-半导体-金属光探测器 跨阻前置放大器 光电集成电路 台面 眼图
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毫米波硅基微机械屏蔽膜微带线和滤波器 被引量:1
6
作者 戴新峰 郁元卫 +3 位作者 贾世星 朱健 於晓峰 丁玉宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期202-205,275,共5页
介绍了一种屏蔽膜微带线,该型传输线为介质薄膜所支撑,周围为空气,并为金属面所屏蔽,具有可忽略不计的衬底损耗及色散效应,以及很小的辐射损耗。运用HFSS三维电磁场仿真软件对毫米波屏蔽膜微带线与滤波器进行了仿真设计,运用MEMS工艺在... 介绍了一种屏蔽膜微带线,该型传输线为介质薄膜所支撑,周围为空气,并为金属面所屏蔽,具有可忽略不计的衬底损耗及色散效应,以及很小的辐射损耗。运用HFSS三维电磁场仿真软件对毫米波屏蔽膜微带线与滤波器进行了仿真设计,运用MEMS工艺在两层高阻硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中屏蔽膜微带线插入损耗小于0.1dB/mm。 展开更多
关键词 毫米波 硅基微机械 屏蔽膜微带线 滤波器
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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
7
作者 彭龙新 李真 +3 位作者 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期F0003-F0003,共1页
功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求,优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过... 功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求,优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计, 展开更多
关键词 PIN限幅器 大功率 单片 X波段 南京电子器件研究所 低噪声放大器 PIN二极管 GAAS
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S波段20W单片功率PIN限幅器
8
作者 彭龙新 蒋幼泉 +2 位作者 黄子乾 杨立杰 李建平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期F0003-F0003,共1页
关键词 PIN限幅器 耐功率 S波段 PIN二极管 单片 低噪声放大器 GAAS 非线性模型
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级联型单级分布式宽带单片功率放大器 被引量:1
9
作者 曹海勇 陈效建 钱峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期501-505,共5页
报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6~18GHz频率范围内线性增益13... 报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6~18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度±1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300~450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在100mm GaAs MMIC工艺线上采用0.25μm功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。 展开更多
关键词 微波单片集成电路 级联型单级分布式放大器 宽带功率放大器
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0.1~325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模 被引量:1
10
作者 徐忠超 刘军 +3 位作者 钱峰 陆海燕 程伟 周文勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期345-350,380,共7页
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋... 给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好. 展开更多
关键词 在片测试结构 等效电路模型 参数提取 太赫兹
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4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT 被引量:3
11
作者 任春江 李忠辉 +4 位作者 焦刚 董逊 李肖 陈堂胜 李拂晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期320-324,共5页
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/... 报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 单位截止频率 最高振荡频率
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短波长OEIC光接收机前端设计及制作 被引量:1
12
作者 范超 陈堂胜 +5 位作者 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期713-717,共5页
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带... 基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03~6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4~6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。 展开更多
关键词 光电集成电路 光接收机前端 PIN 金属-半导体-金属 跨阻放大器 分布参数放大器
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具有增益均衡功能的新型宽带MMIC放大器 被引量:1
13
作者 汪珍胜 陈效建 +1 位作者 郑惟彬 李辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期506-510,共5页
由于行波管"山丘状"功率增益特性需要补偿,提出了具有增益均衡功能的新型宽带单片放大器结构。利用FET作可调元件的嵌入式低损无源滤波网络实现了增益均衡功能。设计中采用了有别于传统的分布放大器形式,选择了高效率高增益... 由于行波管"山丘状"功率增益特性需要补偿,提出了具有增益均衡功能的新型宽带单片放大器结构。利用FET作可调元件的嵌入式低损无源滤波网络实现了增益均衡功能。设计中采用了有别于传统的分布放大器形式,选择了高效率高增益级联型单级分布放大器结构。研制出的嵌入增益均衡滤波网络的三级级联型单级分布放大器,在6~14GHz频带范围内,仅使用5个0.25×120μmp HEMT,小信号增益15.5±1.3dB;输入输出反射损耗<-10dB;NF<8dB;频带中部引入的电调衰减幅度超过7dB。芯片面积为2.48mm×1.25mm。验证了此新型电路结构的可行性。 展开更多
关键词 微波单片集成电路 频率均衡器 可调增益 级联型分布放大器 微波功率模块
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可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计 被引量:1
14
作者 汪珍胜 陈效建 +1 位作者 郑惟彬 李辉 《电子与封装》 2006年第6期31-36,共6页
文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计... 文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计在一块单片电路芯片中。其中LNA部分采用高效率高增益宽带级联型分布放大器取代常规的行波式分布放大器,使得放大器级数显著减少;频率均衡放大器提出用一种利用FET作可调元件的嵌入式低损无源网络来取代,使得放大器的增益特性在频带中部下凹可调,补偿了行波管“山丘状”功率增益特性。在此基础上完成设计的 MMIC LNA,仅使用3个0.25μm×120μm pHEMT,在6GHz~18GHz频带内,小信号增益14.3 ±0.8 dB,输入、输出反射损耗<-10 dB,NF<5 dB;嵌入可调增益均衡网络后,在其他性能参数基本保持不变的前提下,频带中部引入的电调衰减范围超过6.5 dB,完全满足MPM要求。 展开更多
关键词 微波单片集成电路 频率均衡器 可调增益 级联型分布放大器 微波功率模块
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A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers
15
作者 焦世龙 杨先明 +5 位作者 赵亮 李辉 陈镇龙 陈堂胜 邵凯 叶玉堂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1902-1911,共10页
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB ban... A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB bandwidth of 10GHz, with a small signal gain of around 9dB. The post-stage distributed amplifier (DA) has a -3dB bandwidth of close to 20GHz,with a small signal gain of around 12dB. As a whole,the cascade preamplifier has a measured small signal gain of 21.3dB and a transimpedance of 55.3dBΩ in a 50Ω system. With a higher signal-to-noise ratio than that of the TIA and a markedly improved waveform distortion compared with that of the DA, the measured output eye diagram for 10Gb/s NRZ pseudorandom binary sequence is clear and symmetric. 展开更多
关键词 GaAs PHEMT optical receiver PREAMPLIFIER eye diagram CASCADE
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10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver
16
作者 焦世龙 叶玉堂 +4 位作者 陈堂胜 冯欧 蒋幼泉 范超 李拂晓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期24-30,共7页
A single power supply common-gate (CG) current mode transimpedance preamplifier (TIA) is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gai... A single power supply common-gate (CG) current mode transimpedance preamplifier (TIA) is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gain of 45dBΩ. Both the input and output voltage standing wave ratios (VSWR) are less than 2 within the bandwidth. The equivalent input noise current spectral density varies from 14.3 to 22pA/√Hz, with an average value of 17. 2pA/√Hz. Having a timing jitter of 14ps and eye amplitude of about 138mV,the measured output eye diagram for 10Gb/s NRZ pseudorandom binary sequence (PRBS) is clear and satisfactory. 展开更多
关键词 GaAs PHEMT current mode PREAMPLIFIER noise figure eye diagram
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OEIC台面腐蚀工艺研究
17
作者 范超 栗锐 +6 位作者 陈堂胜 杨立杰 冯欧 冯忠 陈辰 焦世龙 叶玉堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期241-244,共4页
深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问... 深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。 展开更多
关键词 腐蚀自停止 光电集成电路 台面工艺
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AlGaN/GaN HEMT的B^+注入隔离 被引量:4
18
作者 李肖 陈堂胜 +2 位作者 李忠辉 焦刚 任春江 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期325-328,342,共5页
报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN HEMT,测试表明B+注入隔离的器件击... 报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN HEMT,测试表明B+注入隔离的器件击穿电压大于70V,相比于台面隔离器件40V的击穿电压有很大提高;B+注入隔离器件电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别达到15GHz和38GHz,相比台面隔离器件的12GHz和31GHz有一定程度提高。 展开更多
关键词 离子注入 隔离 氮化镓 高电子迁移率晶体管
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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型 被引量:1
19
作者 陈秋芬 李文钧 +2 位作者 刘军 陆海燕 韩春林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期904-910,共7页
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。 展开更多
关键词 增强型GaN HEMT 大信号模型 沟道电流模型 栅电荷模型 Verilog-A语言
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基于表面势的HEMT模型分析 被引量:1
20
作者 吕彬义 孙玲玲 +3 位作者 孔月婵 陈辰 刘军 陈磊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期320-324,共5页
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件... 将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。 展开更多
关键词 高电子迁移率管晶体管 表面势 泊松方程 Pao-sah模型
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