产学研合作之专利联合授权模式分析 基于中科院微电子研究所的案例研究

产学研合作是当今世界推动经济和社会发展的一种强劲动力,其模式多样,经验积累丰富,但无论是合作主体、政策导向、协调机制,或是交易过程,仍存在诸多问题,本文主要探讨了专利联合授权模式在产学研合作中的应用,以及与此相关的障碍、风险及对策。

微电子封装热界面材料研究综述

随着半导体器件向着微型化、高度集成化及高功率密度方向发展,其发热量急剧增大,热失效已经成为阻碍微电子封装器件性能和寿命的首要问题.高性能的热管理材料能有效提高微电子封装内部元器件散热能力,其中封装结构散热路径上的热界面材料(Thermal Interface Material,TIM)便是热管理中至关重要的环节.通过热界面材料填充器件热源和散热单元之间的空隙,可以大幅度降低接触热阻,增加热量的传递效率.对微电子封装而言,高性能的热界面材料不仅需要高的导热系数以降低封装热阻,还需具备一定的压缩性以弥补封装的装配偏差,然而通常很难兼顾上述两种特性.本文重点关注微电子封装中热界面材料,系统地梳理了目前热界面材料的常见类型、应用存在问题、关注研究热点和国内外发展现状.

电子致放气测试装置的研究

材料表面吸附的气体分子在电子轰击作用下,会加速释放到真空系统中。为了测试在电子轰击下的材料放气特性,研制了一套电子致放气的测试装置。电子束发生器作为重要的组成部件,具有许多可调参数,这些参数会在一定程度上影响输出的电子束质量,进而影响电子致放气测试结果。文章首先通过实验测量了电子束斑和束流的影响因素,结果表明,聚焦电压和栅极电压对束斑的尺寸有直接的影响,而能量电压对电子束斑直径没有影响。此外,阴极电压、电子能量和栅极电压都可影响到发射电流,从而影响出射的电子束电流。为了验证装置的电子致放气测试能力,采用放气率很低的316 L不锈钢作为测试样品,比较测试其经过三次电子束轰击前后的放气特性。结果表明,经过除气的316 L不锈钢的电子致放气率可较明显地测定,且电子束轰击下放气的主要成分由N_(2)/CO变为H_(2)。

国外微电子组装用导电胶的研究进展

介绍导电胶的组成、分类、较之于传统共晶锡铅焊料的优点以及导电胶的研究现状。重点阐述国外在导电胶导电机理研究、可靠性研究及新型高性能导电胶研制方面的现状和进展。

吸收湿气对微电子塑料封装影响的研究进展

微电子塑料封装中常用的聚合物材料因易于吸收周围环境中的湿气而对器件本身的可靠性带来很大影响,本文回顾了封装材料中湿气扩散、湿应力及蒸汽压力的产生这3个互相联系过程的研究情况,从理论分析、特征参数描述及其实验测定、有限元模拟分析的角度来分别予以介绍．从已有的理论分析与实验结果中可以看出,塑封材料吸收湿气会给器件的可靠性带来诸多影响,湿气的吸收、扩散、蒸发等过程,实验测量,以及由湿气带来的其它相关问题正成为微电子封装可靠性研究领域中的新热点,受到越来越多的关注与重视．

微电子机械系统中典型构件的力电耦合分析及其应用研究

力电耦合是大多数微电子机械系统 (尤其是以静电驱动的微机械 )的重要特征。文中采用有限元 (FEM )结合边界元 (BEM)的方法来混合求解MEMS中的力电耦合问题 ,利用自行研制的程序给出了几种典型构件 (平行板、悬臂梁和固支梁 )的分析结果 ,并同其他商业软件 (ANSYS和Intellisuite)的计算结果进行比较。同时 。

真空微电子平板显示器工艺研究

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。

集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述

随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固技术的研究进展进行了介绍和总结,为抗辐射工艺加固技术的发展与应用提供了有益参考。

微电子机械系统(MEMS)发展研究

叙述了世界 MEMS产业和市场情况 ,介绍了当前 MEMS的设计、制造、封装和测试技术 ,最后浅析了 MEMS产品的商品化进展。

微电子器件制备中CMP抛光技术与抛光液的研究

介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果:15～20nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液,用于介质CMP的120nm水溶胶磨料抛光液、互连插塞钨和铝的CMP纳米SiO2磨料碱性抛光液及ULSI硅衬底CMP抛光液及切削液、磨削液、倒角液和应力控制技术等研究成果。

真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进行了比较。

基于机器学习的FPGA电子设计自动化技术研究综述

随着后摩尔时代的来临,现场可编程门阵列(FPGA)凭借其灵活的重复可编程特性、开发成本低的特点,现已被广泛应用于物联网(IoTs)、5G通信、航空航天以及武器装备等各个领域。作为FPGA设计开发过程中所必备的手段,FPGA电子设计自动化(EDA)技术的研究在各界得到了广泛的关注。尤其是在机器学习方法的推动下,FPGA EDA工具的运行效率和结果质量(QoR)得到了很大的提升。该文首先对FPGA EDA技术与机器学习技术的概念内涵进行了简要概述,随后综述了机器学习技术在FPGA EDA高层次综合(HLS)、逻辑综合、布局与布线等各个不同阶段应用的研究现状。最后,对基于机器学习的FPGA EDA技术的发展进行了展望。以期为本领域及相关领域的专家和学者提供参考,为后摩尔时代我国集成电路产业的发展提供技术支持。

微电子所在黑硅电池研究中取得进展

近日,中国科学院微电子研究所四室研究员贾锐的科研团队在新型黑硅电池研究方面取得新进展。 黑硅具有良好的陷光特性和极低的光反射率（〈1%）,在高效率、低成本晶体硅电池方面有着重要的产业化应用前景,是国际关注的研究热点领域。目前,黑硅太阳能电池效率提升存在诸多瓶颈,

微电子所在石墨烯晶体管物理模型及其电路应用研究中获进展

近日,中国科学院微电子研究所在石墨烯晶体管物理模型及其电路应用研究方面取得进展。微电子所微电子器件与集成技术重点实验室在中国科学院、国家自然科学基金委和科技部的支持下,长期致力于分子电子学基本问题的研究,基于半经典的玻尔兹曼传输理论和热激发传输理论,在国际上首次提出了针对石墨烯晶体管的连续物理模型。

基于数据驱动的电子封装焊点疲劳寿命预测方法研究进展与挑战

焊点作为封装中的重要互连结构,其可靠性评估一直是电子封装领域中关注的重要研究主题.由于封装可靠性越来越多地面临与芯片制程和封装工艺协同设计等需求,因此,发展快速、高精度的焊点可靠性评估手段进而支撑芯片制程-工艺-可靠性协同设计成为该领域关注的焦点问题.随着数据驱动方法与电子封装可靠性领域交叉研究的推进,基于数据驱动模型的焊点寿命预测方法已经得到了一些关注,并取得了一些进展.已有不少研究者将人工神经网络、径向基函数神经网络、循环神经网络和卷积神经网络等典型数据驱动模型推广应用到了电子封装中焊点疲劳寿命的预测和评估,该发展趋势给电子封装中焊点疲劳寿命的快速、高精度可靠性评估带来了新的希望和可能.对目前电子封装领域中焊点疲劳寿命预测方面主流的数据驱动方法研究现状进行了介绍和评述,并且对基于数据驱动的电子封装焊点疲劳寿命可靠性评估方法未来发展方向和面临的挑战进行了展望和分析.

SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究

碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同规格SiC MOSFET的高温栅氧可靠性。负压高温栅偏试验结果显示自研SiC MOSFET与国外SiC MOSFET的阈值电压偏移量基本相等,阈值电压偏移量百分比最大相差在4.52%左右。正压高温栅偏试验的结果显示自研SiC MOSFET的阈值电压偏移量较小,与国外SiC MOSFET相比,自研SiC MOSFET的阈值电压偏移量百分比最大相差11%。自研器件占优势的原因是在SiC/SiO2界面处引入了适量的氮元素,钝化界面缺陷的同时,减少了快界面态的产生,使总的界面态密度被降到最低。

3384例晚期结直肠癌患者中医舌象特征研究

目的探讨晚期结直肠癌(Advanced colorectal cancer,ACRC)患者舌象在不同临床因素中的分布规律以及对辨证的重要意义,为中医临床诊治ACRC提供参考。方法选取2017年1月1日—2022年9月30日期间在中国中医科学院西苑医院肿瘤科杨宇飞教授门诊治疗的3384例ACRC患者作为研究对象,收集整理3384例患者的一般人口学信息、舌象信息以及诊疗信息。探讨ACRC患者舌象特点,分析在不同临床因素中ACRC患者的舌象分布差异。使用SPSS 26.0统计学软件对数据进行描述性统计分析,主要采用χ^(2)检验或Fisher精确检验对计数资料进行差异性比较。结果纳入3384份ACRC病例进行分析,其中男性1891例,女性1493例,男女构成比为1.27∶1,平均年龄(60.90±25.66)岁,其中男性年龄分布较女性前移;异常舌色以暗红舌、红舌、淡暗舌居多,异常舌形以齿痕舌、裂纹舌以及舌有瘀斑为主,异常舌苔以腻苔与厚苔为主。相关性分析结果显示,发病部位与舌色(暗红,淡暗)、舌形(齿痕)、苔色(黄、白)、苔质(厚、腻、水滑)存在显著统计学差异;初次确诊状态(初发晚期,非初发晚期)与舌色(淡红、淡暗)、舌形(嫩、胖大、齿痕)、苔色(黄、白)、苔质(腻、润、水滑、无)存在显著统计学差异;转移部位(肝转移/肺转移)在舌色(暗红)、舌形(嫩舌、瘦薄舌)、苔色(黄苔、白苔)、苔质(薄苔、厚苔、腻苔)方面存在显著统计学差异;基因突变状态(RAS、BRAF基因突变/野生)与舌色(绛、淡暗舌)、舌形(裂纹、瘀斑、嫩、齿痕)、苔质(腻、厚)存在显著统计学差异;微卫星状态与舌色(红)、舌形(裂纹、齿痕、瘀斑),苔色(黄、白)存在显著统计学差异。结论ACRC患者以虚实夹杂的舌象最为多见,可见不同程度的脾虚、痰湿、阴虚、血瘀、热邪等舌象表现,不同临床因素影响下的ACRC舌象特征具有一定规律性,能够为中医临床诊治ACRC提供参考。

微电子技术新研究领域

1995固态器件和材料国际会议于8月21—24日在日本大阪举行。参加会议的有600人,发表论文375篇,其中邀请报告47篇。内容主要集中在6个领域:非晶和晶体介质薄膜,单电子器件.SOI技术,半导体器件的金属化,蓝/绿光发射和相关材料,量子纳米结构的制造及特性.会议还组织了4个专题讨论,它们是:1GH_z MPU和1G位D-RAM的超大尺寸的体,外延和SOI材料,异质结双极晶体管将向何方向发展?铁电薄膜在存储器中的应用,超大规模集成电路应用中的介质和金属膜的平坦化技术。会上有3篇特邀报告,题为:智能硅集成系统的四端器件电子学,图象和高密度数字光纤通讯中的光束控制,300mm(12′′)技术设备。

基于图神经网络的电子设计自动化技术研究进展

在摩尔定律的推动下,工艺节点在不断演进,集成电路设计复杂度也在不断增加,电子设计自动化(EDA)技术面临着来自运行时间与计算资源等诸多方面的挑战。为了缓解这些挑战,机器学习方法已被纳入EDA工具的设计流程中。与此同时,鉴于电路网表作为图形数据的本质,图神经网络(GNN)在EDA流程中的应用正变得越来越普遍,为复杂问题的建模以及最优问题的求解带来了新思路。该文首先对GNN与EDA技术的概念内涵进行了简要的概述,详细地梳理了GNN在高层次综合(HLS)、逻辑综合、布图规划与布局、布线、反向工程、硬件木马检测以及测试点插入等不同EDA设计流程中的主要作用,以及当前基于GNN的EDA技术的一些重要探索。以希望为集成电路设计自动化以及相关领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。

130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究

为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。