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隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究
被引量:
3
1
作者
王源
张立忠
+3 位作者
曹健
陆光易
贾嵩
张兴
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第17期368-375,共8页
随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFE...
随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口.
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关键词
隧道场效应晶体管(TFET)
静电放电(ESD)
传输线脉冲(TLP)
带带隧穿机理
原文传递
题名
隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究
被引量:
3
1
作者
王源
张立忠
曹健
陆光易
贾嵩
张兴
机构
北京大学
微
纳
电子
学研究院
微纳电子与集成系统协同创新中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第17期368-375,共8页
基金
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61106101)资助的课题~~
文摘
随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口.
关键词
隧道场效应晶体管(TFET)
静电放电(ESD)
传输线脉冲(TLP)
带带隧穿机理
Keywords
tunnel field Effect transistor (TFET), electrostatic discharge (ESD), transmission line pulse (TLP), band-to-band tunneling
分类号
O461 [理学—电子物理学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究
王源
张立忠
曹健
陆光易
贾嵩
张兴
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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