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超薄Fe(4)膜磁特性极化中子反射研究 被引量:1
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作者 李天富 陈东风 +2 位作者 王洪立 孙凯 刘蕴韬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期7993-7997,共5页
利用分子束外延薄膜生长技术,制备了200V/4Fe/900V/MgO(100)薄膜样品,通过X射线反射和极化中子反射两种测量手段获得了薄膜的表面、界面及各层膜厚的相关结构信息.中子反射结果表明,Fe原子磁矩在室温下约为1.0±0.1μB,随着... 利用分子束外延薄膜生长技术,制备了200V/4Fe/900V/MgO(100)薄膜样品,通过X射线反射和极化中子反射两种测量手段获得了薄膜的表面、界面及各层膜厚的相关结构信息.中子反射结果表明,Fe原子磁矩在室温下约为1.0±0.1μB,随着温度的降低,Fe原子磁矩增加,在10K时达到1.5±0.1μB.利用指数定律拟合磁矩随温度的变化情况,外推得出4铁薄膜样品的居里温度约为310±30K. 展开更多
关键词 超薄Fe膜 磁特性 极化中子反射 分子束外延
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