掺铅CsI晶体中Pb^(2+)聚集体的发光(英文)

退火处理后的 CsI:Pb晶体在 10～ 30K温度范围内观察到两类发光 :当激发波长为 410nm, 主要发光带在 464nm附近 ;而当激发波长为 360nm或 300nm,主发射带为 422nm。这两种发光带 的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了 CsI:Pb晶体中不同的 Pb2＋基聚集相的形成机制 和发光机理。