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题名高性能GaN微波整流肖特基二极管的设计和制作
被引量:2
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作者
钟易润
李杨
谭庶欣
蒲涛飞
罗向东
敖金平
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机构
南通大学信息科学技术学院
西安电子科技大学微电子学院
德岛大学理工学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第4期295-299,336,共6页
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基金
国家自然科学基金面上项目(61874007,62074087)。
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文摘
通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型器件。为了验证结构的优势,同时制作了用于对比的传统指型器件。通过大量测试,得到联U型器件的平均寄生电阻为2.38Ω,约为指型器件的89.8%。零偏压下联U型器件的结电容为0.48 pF,约为指型器件的90.6%。联U型器件的平均截止频率为139 GHz,相比指型器件提高了约23%。在不增加寄生电容、不牺牲功率容量的情况下,降低了二极管的寄生电阻,大大提高了高频状况下GaN微波整流二极管的整流效率。
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关键词
GAN
截止频率
微波整流
图形化结构
肖特基二极管
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Keywords
GaN
cut-off frequency
microwave rectification
patterned structure
Schottky diode
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分类号
TN311.7
[电子电信—物理电子学]
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