思特威:持续瞄准四大领域发力

2022年5月20日,思特威迎来公司发展的里程碑——成功在上交所科创板上市,开启了公司发展的新篇章。在业务层面,思特威持续巩固了自身在安防监控领域的领先市场优势,并进一步在车载电子、智能手机以及机器视觉领域实现了高速的发展。根据日本调研公司Techno Systems Research(TSR)发布的2022上半年CMOS图像传感器市场报告显示,2020年及2021年思特威在安防CIS领域出货量均位列全球第一。

High K材料对CMOS图像传感器性能的影响分析

阐述BDIT结构表面不同厚度的Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)材料对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,改变Ta_(2)O_(5)厚度对传感器QE以及高温性能影响较大,改变Al_(2)O_(3)厚度主要会影响高温性能。通过调整Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)厚度,可以改善图像传感器高温性能,同时可以改变传感器的QE特性。

前段结构对全隔离CMOS图像传感器性能的影响分析

阐述全隔离图像传感器前段不同的金属接触孔结构、多晶硅结构对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,在像素隔离区域设置金属接触孔结构,或者同时设置金属接触孔与多晶硅结构,可以提升传感器红外光波段抗串扰能力,并且金属接触孔与多晶硅组合的隔离结构还可以改善传感器电学高温性能。

基于表面微结构与深沟道隔离协同的近红外响应增强CMOS图像传感器设计

阐述普通单晶硅在近红外区域消光系数偏低,需要设计不同表面微纳结构提升光程,以增加对近红外光的吸收,提高信噪比。然而,表面微纳结构将恶化传感器的暗电流和光学串扰,降低清晰度和分辨率。因此,在设计端需要将微纳结构与深沟道隔离协同处理,已达到提升红外吸收与降低光学串扰,同时平衡外延硅层结构破坏带来的噪声。探讨光学仿真和实验倒金字塔型与几何沟槽型表面微结构的红外增强水平,对比测试了其光学性能、暗电流与白点水平,得到电学与光学性能的平衡设计方案。

BDTI深度对CMOS图像传感器性能影响的分析

阐述具有1μm小像素的CMOS图像传感器设计,不同的BDTI深度对背照式CMOS图像传感器性能的影响。实验发现,较深的BDTI可以有效降低像素间的串扰,提升图像传感器在长波长处的量子效率,同时能提升图像传感器在白光下的色彩饱和度。

基于动态划分感兴趣区域的车道线检测算法

自动驾驶与辅助驾驶中对车道线检测的要求都是极高的。传统车道线检测中对感兴趣区域的划分主要是粗略的截取图像的下三分之二处,导致对一些特殊场景的适用性不高。本文为了更精确的检测出车道线,在传统的车道线检测基础上提出将感兴趣区域进行动态划分,通过行灰度值和列灰度值剔除图像上部天空和左右风景的无关信息。通过实验表明,上诉方法在检测算法中可以更加精确的识别出车道线,并提高了算法的实时性和鲁棒性。

基于多通道和多色彩空间融合的车道线检测算法设计与实现

随着家用汽车的普及,学术、工业领域对无人驾驶的关注度和研究热情越来越高,高级驾驶辅助系统(ADAS,Advanced Driving Assistant System)作为无人驾驶非常重要的一个环节,也受到极大的关注。车道线检测和障碍物检测是ADAS感知道路信息的核心环节,对ADAS的性能的好坏起着非常重要的作用。项目设计思路围绕低成本、易实现的原则,采用价格低廉的视频采集器硬件设备,同时结合融合多通道和多色彩空间的车道线检测算法,取得较为理想的测试结果。

紧握物联网时代新脉搏,赋能“全天候”物联应用

技术领先的CMOS图像传感器供应商思特威(上海)电子科技有限公司(SmartSens)近日正式发布首款针对物联网应用的CMOS图像传感器(CIS)产品——SC210IoT。作为“新基建”概念中最重要的一个技术方向,5G技术的商用落地加速了物联网时代的到来,开启了一个万物互联的物联网时代。据估计,全球联网设备的数量正在以每秒127台的速度不断增加,到2020年底将达到310亿台的惊人数量。而在物联网的构建中,“感知”、“计算”和“互联”是最为核心的三个部分。

SC2336与SC3336 CMOS图像传感器

思特威推出搭载DSI-2技术的全系列升级图像传感器新品SC2336与SC3336,以高品质的视频解决方案赋能2MP~3MP安防及车载智视应用发展。此次发布的两款CMOS图像传感器新品均采用思特威DSI-2技术,有效提升了产品的暗光成像性能,以SC2336为例,其感光度相较前代产品大幅提升了46.2%,同时结合思特威创新的SFCPixel®专利技术,使两款产品在低照度环境下仍能输出出色的夜视全彩影像。

SC1336车载图像传感器

思特威科技推出基于其DSI-2技术的首颗车载图像传感器产品——SC1336,以其优异的低照成像性能为车载应用领域高清行车影像设备赋能。SC1336具有100万像素以及3.75 gm×3.75 gm像素尺寸,提供35-PinCSP封装形式。得益于思特威创新的DS1-2技术,SC1336感光度高达12,448 mV/lux·s,在夜间暗光行车环境中可拥有优异的夜视全彩成像性能。

CIS发展潜力大,为本土企业提供了沃土

1 CIS市场动向众所周知,CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器(CIS)作为芯片的一个细分市场,市场空间巨大。从知名调研机构Yole Développement的最新报告可以看出(如图1),相比其他芯片,CIS有着比较稳定的增长性,这也得益于手机领域的巨大发展潜力,例如多摄像头方案和新型视频、安防监控和机器视觉和汽车ADAS(高级驾驶辅助系统)。

物联网时代下的图像传感器

自“新基建”概念提出以来,政策层面多次发布相关支持政策,以加快5G网络、数据中心等新型基础设施建设进度,并进一步注重调动民间投资积极性。一时间,“新基建”成为社会各界关注的热点,同时也加速了物联网时代的到来。据估计,全球联网设备的数量正在以每秒127台的速度不断增加,到2020年底将达到310亿台的惊人数量。

CMOS图像传感器中列随机电报噪声影响因素的研究

为了降低CMOS图像传感器中的列随机电报噪声,提升CIS在暗场环境下的成像质量。使用了一种只需要基于图像传感器数字平台输出的简便计算方法,在应用0.13μm 1P4M CIS工艺技术制造的CMOS图像传感器上做了大量实验,研究影响列随机电报噪声的因素。实验考虑了晶体管沟道尺寸、晶体管拓扑结构及工艺水平。实验结果表明,较大的栅极沟道面积、优化晶体管拓扑结构及合适的工艺(0.11μm)可以有效降低列随机电报噪声,这为列晶体管的参数设计提供了指导。

高深宽比光阻层对1.0μm像素性能影响研究

在1.0μm像素CIS制造工艺中有深宽比超过7:1的光刻层,该层次的用途是像素区的光电二极管的N阱的形成。随着像素尺寸缩小,光刻胶加厚,光刻胶的形貌对像素注入工艺有非常大的影响,同时光刻胶形貌的微小波动也会对像素性能造成较大影响,研究中采用了两种不同的光刻胶,分析光刻胶形貌对像素电学参数的影响,并通过优化工艺,得到了适合量产的工艺参数。

亚微米级CMOS图像传感器的光学性能优化研究

图像传感器的量子效率和信号串扰问题是CMOS图像传感器小型化面临的最主要问题之一,当图像传感器尺寸进入亚微米阶段,由于可见光的波长尤其是红光波长非常接近于像素尺寸,会导致像素发生严重的衍射及串扰问题,从而严重影响像素的量子效率和色彩还原能力。为了使像素达到更好的光学性能,基于0.8μm像素结构,优化传统的像素光学隔离挡墙结构,采用金属钨和二氧化硅的叠层挡墙结构,通过仿真优化挡墙的结构比例,使像素的量子效率和串扰问题得到大幅优化。光学仿真和实际测试表明,当挡墙结构中金属钨的比例降低到50%~30%范围时,图像传感器芯片具有最佳的光学性能。

基于CMOS图像传感器的CSP封装优化研究

晶圆级芯片封装在CMOS图像传感器芯片中有重要意义,可以降低成本,减小尺寸。但晶圆级封装玻璃与衬底之间的键合过程存在困难与挑战。为了达到更好的封装效果,我们针对封装玻璃与晶圆衬底间的支撑柱结构进行优化,设计了多种不同的支撑柱结构,并在晶圆上进行封装实验。实验结果表明,在芯片上使用与不使用抗反射氧化层的条件下,当支撑柱结构分别具有较小的独立结构面积,和较大的接触面积时,能够达到较高的封装良率。此外,内圈多圈支撑柱结构在两种条件下均能有较好的封装良率。