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利用非晶硅结构的光电容来进行室温红外光电探测
被引量:
3
1
作者
D.Caputo
贡树行
《红外》
CAS
1999年第5期22-25,共4页
本文我们提出一种新的器件,它是根据非晶硅材料制成的,通过室温电容测量,能够直接探测红外辐射。该器件是一种p-c-n型叠层结构,这里c表示一层补偿的非晶硅吸收层。器件的运转是基于价带内的扩展态和禁带内的缺陷之间的跃迁而进行的,跃...
本文我们提出一种新的器件,它是根据非晶硅材料制成的,通过室温电容测量,能够直接探测红外辐射。该器件是一种p-c-n型叠层结构,这里c表示一层补偿的非晶硅吸收层。器件的运转是基于价带内的扩展态和禁带内的缺陷之间的跃迁而进行的,跃迁是由红外辐射引起的。我们发现:测量的电容敏感于800nm~5μm波段。
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关键词
非晶硅
光电探测
光电容
红外探测
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职称材料
题名
利用非晶硅结构的光电容来进行室温红外光电探测
被引量:
3
1
作者
D.Caputo
贡树行
机构
意大利罗马大学电子工程系
出处
《红外》
CAS
1999年第5期22-25,共4页
文摘
本文我们提出一种新的器件,它是根据非晶硅材料制成的,通过室温电容测量,能够直接探测红外辐射。该器件是一种p-c-n型叠层结构,这里c表示一层补偿的非晶硅吸收层。器件的运转是基于价带内的扩展态和禁带内的缺陷之间的跃迁而进行的,跃迁是由红外辐射引起的。我们发现:测量的电容敏感于800nm~5μm波段。
关键词
非晶硅
光电探测
光电容
红外探测
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用非晶硅结构的光电容来进行室温红外光电探测
D.Caputo
贡树行
《红外》
CAS
1999
3
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