Dual Gate液晶显示屏栅极制程断路缺陷的分析与改善

文章探究了光刻工序的水汽和ITO刻蚀工序的药液结晶对DualGate产品栅极制程的断路影响,通过DOE试验得到影响因子的最佳改善条件,使55寸DualGate产品栅极制程的断路缺陷发生率整体降低36%,为公司带来80.2万元的月度收益,能够对其他高端产品断路缺陷的改善思路、新工艺设备的设计改进,提供参考。

TFT-LCD中无机非金属膜层干涉效应对显示画质效果的改善研究

研究了Oxide TFT的无机非金属层光学特性对画质的影响,通过光学模拟和工艺变更实验验证了TFT膜层间的不同搭配显示效果以及不同视角下TFT色坐标的分布情况。实验证明了在TFT架构不变的情况下,白画面色偏主要受SiNx和SiO2膜层厚度影响,这是由于在某一膜厚下,RGB三色光的波长不同,可能会分别产生相干叠加或者相干减小,使得RGB的亮度比发生变化,从而改变白点的色度。此实验论证为业内研究解决色偏不良提供相关依据,也为企业提供了验证经验。

激基复合物和磷光超薄层相结合的高效率非掺杂白光有机发光二极管

将蓝光激基复合物mCP∶PO-T2T和磷光超薄层结合,分别制备了基于Ir(pq)_(2)acac(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T/Ir(pq)_(2)acac(~0.5 nm)结构的双色互补色和基于Ir(ppy)_(3)(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T/Ir(pq)_(2)acac(~0.5 nm)结构的三基色非掺杂白光有机发光二极管(White organic light emitting diodes,WOLED),以探索超薄层在激基复合物中的应用。所制备的双色互补色WOLED,其最大电流效率、功率效率和外量子效率分别为46.1 cd/A、43.9 lm/W和22.2%,而三基色WOLED所实现的最大电流效率、功率效率和外量子效率分别为66.8 cd/A、63.5 lm/W和24.2%。研究分析表明,从高能的蓝光激基复合物发光层向两侧低能的红光和绿光磷光超薄层有效的能量传递是实现非掺杂WOLED高效率的原因。

基于激基复合物主体的高效率红光和白光有机发光二极管

将蓝光激基复合物mCP:PO-T2T作为主体材料应用在有机发光二极管中,通过对掺杂剂Ir(pq)_(2)acac浓度的优化,实现了激基复合物到掺杂剂完全的或不完全的能量传递,获得了高效率的单色红光和白光有机发光二极管。所得基于激基复合物主体的红光器件最高外量子效率为21%,相比于传统CBP单主体红光器件提高了44%;降低掺杂浓度,利用激基复合物主体和掺杂剂之间的不完全能量传递,实现激基复合物主体和掺杂剂的同时发光,获得了最高电流效率、功率效率和外量子效率分别为41.2 cd/A、43.1 lm/W和19.5%的白光有机发光二极管。研究表明,这种基于激基复合物主体的器件结构中无势垒的电荷注入、平衡的电荷传输和复合以及高的三重态激子利用率是器件高效率实现的原因。

保护层对背沟道刻蚀型金属氧化物IGZO TFT性能的研究

研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZO TFT性能及其稳定性的影响。结果显示,在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移。通过数据分析得知,保护层对水汽的阻挡能力直接影响到IGZO TFT的性能和稳定性。通过优化TFT的保护层,可以有效阻挡水汽渗透到背沟道表面形成缺陷态,提升IGZO TFT器件的稳定性。

双有源层a-IGZO TFT研究进展

总结了双有源层a-IGZO TFT器件的研究进展,重点阐述了a-IGZO的双有源层器件在高稳定性机制、制备工艺、上下层元素比例、掺杂和工艺参数等方面的研究结果,详细分析了双有源层对器件特性的影响及改进方法,并对双有源层a-IGZO TFT的发展方向进行了展望。

液晶面板暗态大视角漏光改善

探讨了液晶显示面板有关的暗态大视角漏光问题,基于实验进行了相关改善因素的验证,找出大视角暗态漏光的关键原因为暗态下低预倾角PI配向液晶倾倒程度较大,大视角下液晶延迟量(△nd)变大,致使暗态漏光严重。并从工艺、材料、配向方面对暗态大视角漏光改善进行了分析,给出了暗态大视角漏光的改善机理和改进方向。

半导体、液晶面板行业含铜废水处理新工艺

在半导体和液晶面板生产过程中为降低生产成本,提高产品可靠性,在铜制程的电镀液和蚀刻液中添加有机螯合剂逐渐成为一种趋势。由于螯合剂与Cu^(2+)会形成环状化合物其结构非常稳定,传统除铜工艺难以将废液和废水中的Cu去除,使制造生产工艺的改良遇到许多障碍。如何处理含有螯合剂的Cu废液和废水一直以来缺少系统性研究。该文对多种处理工艺路线进行对比,提出一套低成本、高效率的以FeSO_(4)为破络剂的废水处理工艺,以期对半导体和液晶面板行业的工艺改善提供帮助。

Array 5 mask和4 mask工艺对LC Margin的影响

液晶量范围(LC Margin)作为TFT-LCD液晶显示开发中一个必不可少的验证项目,是指液晶面板受到外界温度或者大气压力变化后,无重力Mura和液晶气泡的一个安全液晶量范围。实验中通常采用不同的液晶量制作样品,并进行低温和高温保存实验,得到一个无液晶气泡和重力Mura的液晶量区间,即产品的LC Margin(液晶量范围),理想的液晶量范围通常是在中心液晶量上下浮动±3%。

基于STM32步进电机控制器的设计研究

随着工业和科技的发展,嵌入式控制系统也越来越受到人们生产生活的青睐,其拥有强大的处理、控制的性能的同时还有着低功耗,体积小等特点。本设计选用基于ARM Cortex-M3内核的STM32芯片作为主控芯片,外围电路包括红外接收模块,电机驱动器;该系统的控制流程是通过红外遥控模块发送指令,STM32接收指令并向步进电机驱动模块发送相应的脉冲。驱动模块通过细分等操作驱动步进电机完成所需的动作特性;程序在MDK环境下进行编程,通过程序实现不断扫描红外遥控是否发出指令,发出什么指令,从而根据扫描的结果使步进电机产生相对应的动作如正转、反转、加速、加速等动作,再由测试软件算法估算出电机的速度。实验结果表明,该系统的稳定性和步进电机各项运动指标均满足要求。

TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量

在四次光刻工艺中,半光刻制程中光刻胶膜残量的控制,对于TFT沟道形貌以及电学特性至关重要。因此,本文研究了在氧化物TFT-LCD四次光刻工艺中,影响半光刻制程中光刻胶剩余量的关键因子,通过全因子实验设计,得到了预烘温度、减压干燥的快抽时间和显影时间的最优组合,再通过单因子实验优化出最优曝光量。结果表明,该实验设计可有效优化半光刻后光刻胶的剩余量及均一性,并获得理想的实验条件组合。当预烘温度、减压干燥快抽时间、显影时间以及曝光量分别为115℃、10 s、52 s和67 mJ/cm2时,光刻胶剩余量可以控制在0.51μm,线宽为11.17μm,均一性良好(<5%)。

基于Oxide有源层四次光刻工艺中光刻胶的灰化特性研究

在基于Oxide有源层四次光刻工艺中,研究了增强型电感耦合等离子体干法刻蚀设备对光刻胶的灰化特性。通过正交实验分析了O2流量、功率和压力对光刻胶灰化速率、均一性和横向、纵向损失量的影响趋势。实验结果表明,O_(2)流量对光刻胶纵向损失影响最大,当O2流量为6000 mL/min时,纵向损失量(vertical loss)达到最大。功率对光刻胶横向损失影响(CD loss)最大,当功率为32 kW时,横向损失量最小。在此基础上进一步优化工艺参数,当腔室压力为1.3 Pa,灰化时间为40 s时,CD loss为1.36μm, Vertical loss为0.84μm, C/V值最优。

IGZO型TFT图形设计优化

在IGZO型TFT-LCD器件阵列四次光刻工艺条件下,研究了薄膜晶体管图形设计对实做图形的影响,得到了不同沟道长设计、补偿设计对半色调掩膜光刻后沟道区域光刻胶图形拖尾、内缩、膜厚的影响趋势。实验测量结果表明,沟道长设计值L在3μm~10μm时,L越大,光刻胶内缩量越大,拖尾量越小,沟道内光刻胶膜厚越小;L>10μm时,光刻胶内缩量、拖尾量、膜厚趋于平稳。基于以上趋势,通过对沟道长设计优化和图形补偿设计,可有效改善光刻胶内缩和拖尾对实做沟道长宽比的影响,同时获得合适的沟道光刻胶膜厚。