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基于自动测试系统实现系统级芯片异步信号测试 被引量:7
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作者 石君 张谦 裴丹丹 《电子与封装》 2020年第2期29-31,共3页
大部分的系统级芯片(SoC)具有异步信号,基于自动测试系统(ATE)很难实现稳定的测试。通过外挂Flash芯片对被测SoC器件进行功能配置,自动测试系统对相应的功能进行搜索匹配,可以在自动测试系统上对SoC的异步输出信号进行稳定的测试。
关键词 自动测试系统 异步信号 系统级芯片 搜索匹配
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基于GaAs pHEMT工艺的S波段高增益驱动放大器的设计研究
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作者 林倩 陈思维 +3 位作者 邬海峰 胡单辉 陈依军 胡柳林 《电子器件》 CAS 北大核心 2021年第4期802-805,共4页
设计了一种基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺的S波段高增益单片微波驱动放大器(Drive Amplifier,DA)。该放大器采用了基于负反馈技术的共源共栅(Cascode)放大器驱动共源放大器的双级放大结构,可以实现良好的功率增益... 设计了一种基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺的S波段高增益单片微波驱动放大器(Drive Amplifier,DA)。该放大器采用了基于负反馈技术的共源共栅(Cascode)放大器驱动共源放大器的双级放大结构,可以实现良好的功率增益和高线性度特性。采用0.5μm GaAs pHEMT工艺验证了该设计方法的可行性。实测结果显示,在5 V供电时,该DA在2.5 GHz~4.2 GHz频带内其小信号增益(S21)为26 dB±0.5 dB,输入回波损耗(S11)小于-7.5 dB,输出回波损耗(S_(22))小于-6.5 dB,输出三阶交调点(OIP3)为30.5 dBm,饱和输出功率(Psat)为26.5 dBm,最大功率附加效率(P_(AE))为25%。该芯片面积为1.3 mm^(2)。该芯片实测结果可以满足5G无线通讯系统中Sub-6GHz频段的典型驱动功率放大的指标要求,具有广泛的市场应用前景。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 共源共栅 双级放大 高增益
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