镍电极X8R陶瓷材料的研究

系统研究了Yb-Mn-CaZrO3掺杂和Yb-Ni-CaZrO3掺杂BaTiO3陶瓷的显微结构与介电性能的关系。实验表明,Mn和Ni离子可以抑制Yb与CaZrO3向BaTiO3晶粒中的扩散,并形成晶粒的“壳-芯”复相结构。SEM和DSC研究表明,掺Ni较之掺Mn更有利于提高陶瓷材料中“壳-芯”结构的稳定性。CaZrO3的引入可提高瓷料的居里温度并改善介电温度稳定性,使上述两种瓷料系统的介电温度特性均满足X8R规范要求。

电阻贴片频率选择表面(FSSR)的吸波性能研究

对电阻贴片频率选择表面(FSSR)的吸波性能进行了研究。将传统FSS的导体贴片用电阻贴片代替,制备了由不同尺寸、电阻的FSSR与不同厚度介质层构成的单层吸波材料。在以Agilent8720ET矢量网络分析仪为核心的弓形法测试系统中,在2GHz^18GHz频率范围内测量了材料的反射率。结果表明:电阻贴片频率选择表面较Salisbury屏有更宽的吸收频带,其单元贴片尺寸、单元贴片电阻以及介质层的厚度都对吸波材料的反射率有明显的规律性影响,但与单一的Salisbury屏和传统的FSS明显不同,并采用传输线理论对其吸收机理进行了分析。

光子晶体的研究进展

从20世纪80年代末提出光子晶体的概念以来,由于光子晶体独特的调节光子运动状态的特性,使其在许多领域有着广泛的用途。系统叙述了光子晶体的产生、结构、制备和应用,介绍了ZnO光子晶体的最新研究进展。

碳纳米管场发射机理述评

较全面地介绍了碳纳米管场发射研究10年来在发射机理方面的研究结果,包括场发射能量分布、逸出功、发射模型以及发射稳定性和失效等问题,并介绍了相关方面的研究结果。

RF MLCC热应力分析

采用有限元方法,应用ANSYS软件,模拟不同内电极结构和不同端电极厚度的RFMLCC在热冲击时的热应力分布。模拟结果显示:端电极倒角处、银电极与内电极引出端的接触处所受vonmises热应力较大,是热应力下RFMLCC结构中最薄弱的部位;结构中的峰值热应力随温度循环次数的增加而增加,五次循环后的热应力约为首次循环的4.5倍;悬浮内电极结构银电极上的最大热应力远小于正常内电极结构;增加银电极厚度可以大大减小热应力,对于13层悬浮内电极结构的RFMLCC,银电极厚度增加一倍,其所受热应力最大值减少约50%。本次仿真结合了自由划分和映射划分,并且多次局部细化网格,消除了畸形网格,使得各次仿真的能量准则百分比误差均小于2%。为分析RFMLCC热失效机制、优化结构、提高其可靠性提供了理论依据。

非晶FeCoSiB磁弹性薄膜的应力阻抗效应

磁弹性薄膜中的应力阻抗效应有望在高灵敏应力/应变传感器中得到应用,这引起了人们的广泛研究兴趣。我们利用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并在真空中退火以获得较好的磁弹性,接着在200kHz～10MHz范围内测试了薄膜的应力阻抗效应。结果表明,退火可增强磁弹性薄膜的应力阻抗效应,并且FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层薄膜比FeCoSiB薄膜具有更高的应力阻抗效应。

红外焦平面阵列技术现状和发展趋势

红外热成像技术是国家安全依赖的主要探测技术手段,已在卫星、导弹、飞机等军事领域获得了广泛的应用。同时随着非致冷红外成像技术的发展,尤其是制造成本大幅度的降低,其在工业、医疗、民用方面的应用也日渐增多。本文介绍了红外焦平面阵列的原理、结构及其分类,着重分析了读出电路的各种性能,并对国内外研制以及生产情况进行了比较。

新型发射极开关类晶闸管

本文提出了两种新型发射极开关晶闸管：辅助关断发射极开关晶闸管ＡＯＥＳＴ（ａｓｓｉｓｔａｎｔｏｆｆｅｍｉｔｔｅｒｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）和双注入发射极开关晶闸管ＤＩ－ＥＳＴ（ｄｕａｌｉｎｊｅｃｔｉｏｎｅｍｉｔｔｅｒｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）。研究了发射极开关类晶闸管ＥＳＴ（ｅｍｉｔｔｅｒｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）、ＡＯＥＳＴ、ＤＩＥＳＴ正向工作特性及关态工作特性，比较了它们各自的优缺点，同时为该类功率器件发展提出了设想。

3mm宽带波导结型隔离器

报道一个具有宽带特性的3mm波导结型隔离器,其性能为插入损耗小于0.8dB,反向隔离大于20dB,绝对带宽为3.5GHz(92.5-96GHz)。对影响器件的性能因素进行了讨论,并指出实验结果似乎与旋转门环行器设计理论不一致。

一种增益可调CMOS恒带宽单片放大器

基于电流跟随器和负反馈原理，并结合电流镜像与虚地技术，得到了一种具有不依赖于闭环电压增益的１２０ｋＨｚ～８ＭＨｚ恒定带宽，增益０～６０ｄＢ可调，最高稳定工作频率５ＭＨｚ，功耗５．２ｍＷ的高性能ＣＭＯＳ放大器，其ＳＰＩＣＥ模拟表明，该放大器电气性能优越，模拟结果与理论分析比较吻合；可采用３～５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺技术单片化集成实现，并可望用于宽带视频放大等模拟信号处理领域。

Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取

采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v－E模型推导了“反向”器件模型，从直流I-V特性分析求解了Al0．3Ga0．7As／GaAsHEMT的结构参数．因非线性电行控制模型有效地反映了2DEG浓度ns随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报道基本相符．

新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制

本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新结构MCT器件，其电流关断能力分别达到114A／cm2和41A／cm2．

MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。

LCD的通用驱动电路IP核设计

本文介绍了一种新型的LCD驱动电路IP核的总体设计,采用自顶向下的设计方法将其划分为几个主要模块,分别介绍各个模块的功能,用VHDL语言对其进行描述,用FPGA实现并通过了仿真验证。该IP核具有良好的移植性,可驱动不同规模的LCD电路。

三阶电荷泵锁相环系统级设计与仿真验证

本文采用锁相环开环传输函数波特图对三阶电荷泵锁相环进行了系统级设计,并且对相位裕度与 建立时间,稳定性与环路带宽这两对矛盾进行了权衡。然后在SIMULINK 中建立了包含电荷泵锁 相环离散时间特性和非线性本质的行为模型,并进行了仿真验证。

用标准单元库进行专用IC(ASIC)的设计

在成熟的CMOS工艺的基础上,以建立符合LSIS-Ⅱ布图设计系统规范的CMOS标准单元库的形式而进行的专用IC RSC 4751的设计。逻辑设计、单元库中单元的设计是应用LSIS-Ⅱ布线系统进行计算机辅助设计的关键。专用IC RSC 4751芯片的面积是4.5×4.0 mm^2,集成了2600个MOS管,530多个门电路,共28个压焊点,采用的是5μm硅栅CMOS工艺制造。实践表明:用标准单元库的形式设计专用IC是成功的。

聚苯胺-聚氯乙烯复合物的研究

作为导电聚合物中的一员,聚苯胺是一类非常有前景的聚合物,而聚氯乙烯是一种重要且应用很广的塑料。概述了聚苯胺与聚氯乙烯的复合方法,包括直接复合、接枝复合、增塑型复合。针对实现聚氯乙烯的可塑性加工重点介绍了增塑型复合,并展望了聚苯胺-聚氯乙烯复合物的应用。

8位高速微控制器IP软核的设计与实现

本文介绍了一种8位高速微控制器IP软核的设计,该IP采用哈佛总线和二级流水线,指令集与PIC16F676兼容。本文按照自顶而下的设计流程,首先定义了该MCUIP核的顶层功能和体系结构,然后对各单元模块进行了详细的设计,讲述了IP软核的设计方法及其仿真验证,并对该微控制器的读/写时序进行了分析。

一种具有极高输出阻抗的电流源

本文提出的采用0.6μmCMOS工艺的电流源巧妙地利用等效负电阻得到的极高的输出阻抗,可达109欧姆数量级,在工艺允许的理想情况下可达到无穷大,从而使电流源的输出电流随输出电压的变化更加稳定;在输出电流达到稳定后,随着输出电压的进一步增大,输出电流的抖动只有采用单个cas-code电流镜做电流源的输出电流抖动的四分之一。该电流源输出电流的电源抑制比PSRR+为85.2dB。

基于C51单片机的便携式甲烷浓度检测仪

本文介绍了一种基于C5l单片机与红外光谱的吸收特性的便携式甲烷浓度检测报警仪的设计与实现。采用红外光谱技术对甲烷气体的浓度进行定量分析，并在超过设定值时报警，并能通过串口与PC机进行通信，适合于用在矿场开采的安全检查中，测量范围0-100％，且使用方便，工作稳定，数据可靠。