Au（111）取向膜的制备与结构表征

在羊晶硅Ｓｉ（１１１）上，通过电子束蒸发沉积方法制备Ａｕ（１１１）取向膜，用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）分析在征Ａｕ（１１１）膜的表面微结构和表面晶格取向的原子图像。实验结果表明，在超高真空的条件下，控制优化实验条件能制备高度取向的Ａｕ（１１１）膜，这在分子自组装技术中起着关键作用，在纳米薄膜材料科学中具有重要意义。

相互自偏屏蔽磁阻读头的设计和模拟

基于传输线模型设计和分析了，一种新型的相互自偏屏蔽磁阻头（ＭＲ）。对信号场分布，输出电压，谐波信号和磁电阻作为偏电流，记录位移和时间的函数进行仿真模拟，结果表明该磁头的线性工作电流在１０～３０ｍＡ之间，在总缝宽Ｇ０小于０．６μｍ的条件下，不仅具有较好的高频线性响应特性和完全对称的再生信号输出波形，而且有高达４５％的效率。这些结果对提高计算机硬盘的记录密度是很有意义的。

硫醇在Au表面的SA膜的AFM观察

采用电子束蒸发沉积方法制备的Ａｕ基片，分别放在０．００１Ｍ的正丁硫醇、正十二硫醇的纯溶液和混合溶液中，通过化学吸附制备得到自组装单分子层膜。利用原子力显微镜（ＡＦＭ），对正丁硫醇、正十二硫醇以及两种硫醇混合物在Ａｕ基片上的自组装单分子层膜进行了观察研究。从原子分辨的ＡＦＭ图像观察三种分子膜的周期性六边形等间距排列图像，最邻近间距分别为０．５０ｎｍ±０．０２ｎｍ、０．５２ｎｍ±０．０３ｎｍ和０．５１ｎｍ±０．０３ｎｍ，与Ａｕ（１１１）晶格表面上的间距为０．５０ｎｍ的Ｒ３０°吸附层的间距一致。用ＡＦＭ观察测量出了膜的厚度分别为０．６７ｎｍ、１．６０ｎｍ和１．３２ｎｍ。

杂化膜驻极体PVDF／SiO_2的电荷输运特性

通过常温和高温下对ＰＶＤＦ／ＳｉＯ＿２，（ＰＶＤＦ－聚偏氯乙烯）膜的恒压负电晕充电，系统地研究了充电注入的负表面电荷受激脱阱后在电荷层自身内场作用下的输运规律。确定了ＴＳＤ（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＳｔｉｍｕｌａｒｅｄＤｉｓｃｈａｒｇｅ）的偶极峰和空间电荷峰对电荷稳定性的明显区另。实验结果表明，高温负电晕充电对该材料的驻极性能有明显的改善。