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用低能电子衍射研究CU(001)表面吸附碲的表面原子结构
1
作者
蓝田
徐飞岳
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第3期1945-1952,共8页
本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确-定的,在Cu(001)表面的4重对称空隙上吸附Te原子的吸附层模型。原子层间距d_1=1.633±0.004,d_2=1.943±0.007(膨胀7.6%±0.007)。
关键词
电子衍射
CU
表面吸附
碲
表面结构
下载PDF
职称材料
题名
用低能电子衍射研究CU(001)表面吸附碲的表面原子结构
1
作者
蓝田
徐飞岳
机构
成都电讯工程学微电子技术系
成都
电讯
工程学
微电子
材料
系
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第3期1945-1952,共8页
文摘
本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确-定的,在Cu(001)表面的4重对称空隙上吸附Te原子的吸附层模型。原子层间距d_1=1.633±0.004,d_2=1.943±0.007(膨胀7.6%±0.007)。
关键词
电子衍射
CU
表面吸附
碲
表面结构
分类号
O562.1 [理学—原子与分子物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用低能电子衍射研究CU(001)表面吸附碲的表面原子结构
蓝田
徐飞岳
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1991
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