CeO2掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究

采用添加微量CeO2的方法，提高氧化锌压敏阀片的电位梯度，使之具有优良的综合性能。同时研究了微量CeO2添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响，并通过SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究，从理论上探讨了CeO2影响氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明，在0～0．06％（摩尔分数）成分范围内，随着CeO2含量的增加，氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度明显提高；当CeO2含量超过0．06％（摩尔分数）时，随其含量的增加，氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度又呈降低趋势。其原因是CeO2加入到氧化锌压敏阀片中，以原相形式独立存在的CeO2相钉扎在晶界，阻碍晶界运动，抑制了ZnO晶粒的生长；另一方面，CeO2添加剂在陶瓷烧结过程中使ZnO晶体的自由电子浓度增大，填隙锌离子Zni的总浓度下降，因而填隙锌离子的传质能力下降，抑制了ZnO晶粒的生长，因而晶粒尺寸随CeO2的添加而下降，压敏电位梯度显著提高。

La_2O_3掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究

采用添加微量La_2O_3的方法,提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,使之具有优良的综合性能。同时研究了微量La_2O_3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了La_2O_3影响氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明,在0～0.08mol%成分范围内,随着La_2O_3含量的增加,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度明显提高;当La_2O_3含量超过0.08mol%时,随其含量的增加,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度又呈降低趋势。其原因是La_2O_3加入到氧化锌压敏阀片中,La主要以固溶的形态分布于ZnO的晶内和晶界处,使ZnO晶体的自由电子浓度增大,进而使填隙锌离子Zni的总浓度下降,因此填隙锌离子的传质能力下降。抑制了ZnO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随La_2O_3的添加量下降,压敏电位梯度显著提高。