H_5体系的结构与能量计算

本文根据文献提出的电子瞬时配对的平均效果形成未饱和共价键的物理模型来划分通道,对ACQM方法中通道的概念赋予了更明确的物理意义,并对H_5集团的正方形中心,及正四面体中心构形进行了计算和研究,获得了两种构型的势能曲线,结果表明:正四面体中心构型是较为稳定的结构。

CT-6B托卡马克装置上电流上升阶段电子温度的光谱测量

在CT-6B托卡马克装置上,用一米掠入射真空紫外单色仪测量了氧杂质各阶离子OII-OVI的谱线辐射的时间变化,用HCN远红外激光干涉仪测量了电子密度的时间变化。利用谱线时间史的方法,由谱线起始时间估算了放电初期电流上升阶段电子温度的时间变化。用数值计算分别考察了氧杂质进入通量和约束时间对谱线峰值强度和起始时间的影响。估算得到的电子温度在放电开始后0.36,0.56,0.66,0.90和1.4ms,分别为3.6,5.6,7.3,10.8和21eV,它们反映了放电初期等离子体中心区电子温度的变化。