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一种高性能CMOS运算放大器的设计
1
作者
郭国发
《中国集成电路》
2024年第11期46-49,91,共5页
为适应当前芯片趋于高速电路的发展趋势。本文设计了一款具有高宽带、高增益性能的运算放大器电路。它采用了深亚微米CMOS的28nm工艺和IO端口1.8 V电源电压来实现。该电路主要利用了增益自举增强技术结合共源共栅结构来提升放大器的增...
为适应当前芯片趋于高速电路的发展趋势。本文设计了一款具有高宽带、高增益性能的运算放大器电路。它采用了深亚微米CMOS的28nm工艺和IO端口1.8 V电源电压来实现。该电路主要利用了增益自举增强技术结合共源共栅结构来提升放大器的增益。在Cadence环境下完成电路设计和Spectre仿真验证,仿真结果表明:电路的直流增益达到96 dB以上,单位增益带宽为251 MHz,电源电压抑制比为86.7 dB,压摆率为33 V/us(负载电容为1pF),功耗小于0.15 mW,实现了较低的电路功耗。这在高速电路的比较、滤波等应用具有重要的参考价值。
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关键词
运算放大器
共源共栅
增益自举
单位增益带宽
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职称材料
题名
一种高性能CMOS运算放大器的设计
1
作者
郭国发
机构
成都芯海芯为科技有限公司
出处
《中国集成电路》
2024年第11期46-49,91,共5页
文摘
为适应当前芯片趋于高速电路的发展趋势。本文设计了一款具有高宽带、高增益性能的运算放大器电路。它采用了深亚微米CMOS的28nm工艺和IO端口1.8 V电源电压来实现。该电路主要利用了增益自举增强技术结合共源共栅结构来提升放大器的增益。在Cadence环境下完成电路设计和Spectre仿真验证,仿真结果表明:电路的直流增益达到96 dB以上,单位增益带宽为251 MHz,电源电压抑制比为86.7 dB,压摆率为33 V/us(负载电容为1pF),功耗小于0.15 mW,实现了较低的电路功耗。这在高速电路的比较、滤波等应用具有重要的参考价值。
关键词
运算放大器
共源共栅
增益自举
单位增益带宽
Keywords
Operational amplifier
cascode
gain bootstrap
unity gain bandwidth
分类号
TN7 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
一种高性能CMOS运算放大器的设计
郭国发
《中国集成电路》
2024
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