IGBT器件栅极漏电问题研究

IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极之间的隔离等问题所致,通常造成栅极短路漏电的原因比较容易发现,但栅极轻微漏电的原因比较复杂,需要通过科学的分析,才能找到问题的根源。通过对典型栅极漏电(栅极间呈现二极管特性)问题的调查,总结了解决问题的思路和方法,对IGBT芯片制造者或器件应用者有一定的参考作用。

浅议现金流与营运资本管理

现金流量是企业的立身之本，关系着企业存亡的命脉。现金流量及与其密切相关的营运资本管理对企业来说至关重要，忽视现金管理的企业，再精妙的管理方案也会付之东流。本文以某制造型企业为例，分析了现金流量在企业财务管理中的重要性，并针对企业现状对现金流量及营运资本管理作简单的探讨和研究。

基于Web RTC视频会议系统研究设计

视频会议能够充分借助网络资源,突破空间的限制,方便会议人员进行直观真实的交流,并有效提升现代工作的效率。论述了目前视频会议发展的现状,分析了Web RTC技术、SIP技术的特征,对视频会议构建及模型进行了阐述,提出了基于Asterisk系统结构、Zaptel、FFmpeg等实现视频会议的方法。结论表明,基于Web RTC技术的网络视频会议系统具有扩展性强、性价比高与带宽利用率高的优势。

计算机网络办公自动化的应用与安全策略

目前计算机网络技术的发展有效促进了办公自动化的应用。基于计算机网络的实时办公自动化能够有效降低办公的成本,提升企业运行效率,并为企业带来良好的经济效益。在企业网络办公系统构建的过程中,网络安全是尤为需要进行关注的重点。安全的网络办公系统才能够保证办公系统更好为企业服务,提升企业的办公效率。论述了网络办公自动化的构建要求,并对网络办公自动化的安全策略进行了深入研究。

基于TEOS-O_2-N_2淀积SiO_2工艺研究

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试。通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果。

功率肖特基二极管反向EOS量化检测及改善

由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管（SBD）的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题。根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电（ESD）、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过电应力（EOS）能力的量化检测方法。针对三种检测方法的特点,明确了失效机理,并从工艺参数、器件结构等方面给出了解决办法。以2 A 100 V SBD芯片为例,通过器件仿真、流片验证,给出了通过p^＋保护环结深、p^＋结浓度、外延层厚度、保护环面积等工艺和结构参数改善ESD、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量的方法。提出了一种p^＋-p^-保护环的结构,可提高功率SBD的抗反向瞬态冲击特性。