准一维海森堡反铁磁自旋系统的数值研究

利用数值密度矩阵重整化群方法对一种特殊的准一维海森堡反铁磁自旋系统的基态磁性序问题进行研究,计算了单个晶胞的基态能、自旋关联函数以及自旋能隙。研究表明这种准一维海森堡反铁磁链的基态存在磁性长程序,且链上格点间的自旋关联是短程的。

磁控溅射碳化硅薄膜生长的热力学讨论(英文)

提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－ C3N4,P－ C3N4 或 － (C2N2)n－的最可能表面反应 ,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型 薄膜淀积区域的分界线。这些结果与一些实验结果很好地符合。

一种“类耗散系统”中的“类Ⅴ型阵发”

一类不连续不可逆保面积映象可以展示类似耗散的行为 ,因此可称其为“类耗散系统” .在一种类耗散系统中观察到了椭圆周期轨道及其周围的椭圆岛与映象不连续边界碰撞而消失的现象 .周期轨道消失后 ,经过一系列过渡椭圆周期轨道之后 ,系统的行为由一个混沌类吸引子主导 .在混沌类吸引子刚刚出现时 ,混沌时间序列呈现层流相与湍流相的无规交替 .这一切都与不连续耗散系统中发生的Ⅴ型阵发的相应性质十分相似 ,因此可称为“类Ⅴ型阵发” .然而 ,当混沌类吸引子刚刚出现时 ,仅可以找到最后一个过渡椭圆岛的“遗迹” ,并不存在它的“鬼魂” ,因此类Ⅴ型阵发不遵从Ⅴ型阵发的特征标度规律 .反之 ,混沌类吸引子的鬼魂却存在于最后一个过渡椭圆周期轨道的类瞬态过程中 ,因此在类Ⅴ型阵发导致混沌运动的临界点之前 ,由此“类瞬态混沌奇异集”中逃逸的规律就成为标志这一种临界现象的标度律 .这与Ⅴ型阵发又根本不同 .