-
题名GaN基LED的图形衬底优化研究
- 1
-
-
作者
范玉佩
曾祥华
顾长华
刘宝琴
王坚
张乾
-
机构
江海职业技术学院
扬州大学物理科学与技术学院
扬州璨扬光电有限公司
-
出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2013年第4期265-269,共5页
-
基金
中国博士后科学基金资助项目(20080430096)
-
文摘
设计了方形和阶梯状两大类的图形化蓝宝石衬底(PSS),使用Crosslight公司的工艺软件CSuprem建立了三维的方形和阶梯状两类图形衬底GaN LED器件,然后使用APSYS软件模拟计算出它们的光电特性。并且对方形图形衬底的刻蚀深度进行了优化,通过对模拟结果的比较得到刻蚀深度与边长的比值为0.4时,这种方形图形衬底GaN LED的光提取效率最高,且比平面衬底提高了20.13%。对阶梯状图形衬底的阶梯层数进行了比较,发现随着阶梯层数的增加,光提取效率也随着增加,阶梯状层数为5时,光提取效率比平面衬底提高了30.03%。并对方形PSS LED进行了实验验证。
-
关键词
氮化镓
发光二极管
极化效应
图形衬底
光提取效率
-
Keywords
GaN
light emitting diode
polarization effect
patterned sapphire substrate(PSS)
light extraction efficiency
-
分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
-