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14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法
1
作者
史柱
王斌
+3 位作者
杨博
赵雁鹏
惠思源
刘文平
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第12期3335-3342,共8页
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓...
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明:加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时,抗辐射加固的性能最好,SET脉冲宽度降低程度可达40%左右;然而,当处于反偏状态时,由于特殊的电荷收集过程的存在,使得SET脉冲幅度反而会明显增大,脉冲宽度减小程度并不明显。此外,还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响,得到提高抗SET效果的加固方法。
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关键词
鳍式场效应晶体管
单粒子瞬态
器件
辐射加固
工艺
下载PDF
职称材料
一种先进CMOS工艺下抗单粒子瞬态加固的与非门
2
作者
史柱
肖筱
+4 位作者
王斌
杨博
卢红利
岳红菊
刘文平
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期114-121,共8页
先进纳米集成电路工艺的发展使得微电子器件翻转的阈值电荷不断降低,导致数字电路中由单粒子效应引起的软错误率增加。为加强集成电路中标准单元的抗辐射特性,本文提出了一种抗单粒子瞬态(single-event transient,SET)加固的与非门结构...
先进纳米集成电路工艺的发展使得微电子器件翻转的阈值电荷不断降低,导致数字电路中由单粒子效应引起的软错误率增加。为加强集成电路中标准单元的抗辐射特性,本文提出了一种抗单粒子瞬态(single-event transient,SET)加固的与非门结构。在三阱工艺下,通过将下拉网络中每一个NMOS管的衬底和源极各自短接,便有效地提高了与非门抗辐射性能,而且随着输入端数目的增加,本文提出的与非门加固效果更加明显。利用Sentaurus TCAD软件的混合仿真模式进行粒子入射仿真实验,对于与输出节点相连的NMOS管采用经过工艺校准的三维物理模型,其他MOS管采用工艺厂商提供的Spice模型。结果显示:在40 nm工艺下,当入射粒子线性能量传输(linear energy transfer,LET)值为10 MeV·cm^(2)/mg时,本文提出的2输入与非门能够在3种输入的情况下降低输出电压扰动幅度。其中在N_(2)管关闭的输入模式下,达到了对单粒子入射免疫的效果;对于3输入与非门,即使在“最坏”输入的情况下,也能使输出电压翻转幅度降低85.4%。因此,本文提出的与非门加固方法起到了显著的抗单粒子瞬态效果。
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关键词
辐射加固
单粒子瞬态
组合逻辑
与非门
工艺
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职称材料
题名
14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法
1
作者
史柱
王斌
杨博
赵雁鹏
惠思源
刘文平
机构
西安微电子技术研究所
抗辐射集成电路国防科技重点实验室
出处
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第12期3335-3342,共8页
基金
国家科技重大专项(2020002-047)。
文摘
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明:加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时,抗辐射加固的性能最好,SET脉冲宽度降低程度可达40%左右;然而,当处于反偏状态时,由于特殊的电荷收集过程的存在,使得SET脉冲幅度反而会明显增大,脉冲宽度减小程度并不明显。此外,还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响,得到提高抗SET效果的加固方法。
关键词
鳍式场效应晶体管
单粒子瞬态
器件
辐射加固
工艺
Keywords
fin field-effect transistor
single-event transient
device
radiation hardening
process
分类号
V216.51 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
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职称材料
题名
一种先进CMOS工艺下抗单粒子瞬态加固的与非门
2
作者
史柱
肖筱
王斌
杨博
卢红利
岳红菊
刘文平
机构
西安微电子技术研究所
抗辐射集成电路国防科技重点实验室
(西安微电子技术研究所)
出处
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期114-121,共8页
基金
国家重大专项资助(414240102033)。
文摘
先进纳米集成电路工艺的发展使得微电子器件翻转的阈值电荷不断降低,导致数字电路中由单粒子效应引起的软错误率增加。为加强集成电路中标准单元的抗辐射特性,本文提出了一种抗单粒子瞬态(single-event transient,SET)加固的与非门结构。在三阱工艺下,通过将下拉网络中每一个NMOS管的衬底和源极各自短接,便有效地提高了与非门抗辐射性能,而且随着输入端数目的增加,本文提出的与非门加固效果更加明显。利用Sentaurus TCAD软件的混合仿真模式进行粒子入射仿真实验,对于与输出节点相连的NMOS管采用经过工艺校准的三维物理模型,其他MOS管采用工艺厂商提供的Spice模型。结果显示:在40 nm工艺下,当入射粒子线性能量传输(linear energy transfer,LET)值为10 MeV·cm^(2)/mg时,本文提出的2输入与非门能够在3种输入的情况下降低输出电压扰动幅度。其中在N_(2)管关闭的输入模式下,达到了对单粒子入射免疫的效果;对于3输入与非门,即使在“最坏”输入的情况下,也能使输出电压翻转幅度降低85.4%。因此,本文提出的与非门加固方法起到了显著的抗单粒子瞬态效果。
关键词
辐射加固
单粒子瞬态
组合逻辑
与非门
工艺
Keywords
radiation hardening
single-event transient(SET)
combinational logic circuit
NAND gate
process
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法
史柱
王斌
杨博
赵雁鹏
惠思源
刘文平
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
一种先进CMOS工艺下抗单粒子瞬态加固的与非门
史柱
肖筱
王斌
杨博
卢红利
岳红菊
刘文平
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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