超高真空下清洁硅表面二次离子质谱的研究

超高真空下keV能量一次氩离子轰击下清洁硅表面二次离子发射的实验研究是二次离子质谱(SIMS)最重要的一种基础研究,它不仅可以支持分析应用,还可用于检验某些理论发射模型。尽管有许多作者开展了这项研究并已取得了一些重要的研究成果,但重复可靠和系统的研究尚不多见。本文收集、比较并评述了迄今为止已发表的主要实验研究结果,讨论了为得到重复可靠实验结果遇到的主要困难。在改善的实验条件下对超高真空下清洁硅表面二次离子质谱进行了系统的实验研究。本文将介绍主要研究结果并进行一些讨论。