期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Ce∶KNSBN光折变类光纤简并四波混频特性研究
1
作者 刘宏利 王肇圻 +1 位作者 杨新军 陈焕矗 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期214-217,共4页
研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤在泵浦光和信号光夹角分别为小角度和大角度两种情况下简并四波混频的基本特性 .当夹角较大时 ,在光折变类光纤内部形成了两个四波混频作用区域 ,获得了比小角度情况提高 4倍的大相位共轭反射率 .给出了Ce∶... 研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤在泵浦光和信号光夹角分别为小角度和大角度两种情况下简并四波混频的基本特性 .当夹角较大时 ,在光折变类光纤内部形成了两个四波混频作用区域 ,获得了比小角度情况提高 4倍的大相位共轭反射率 .给出了Ce∶KNSBN光折变类光纤中 ,在入射夹角分别为小角度和大角度两种情况下 ,相位共轭光反射率分别随信号光光强、两束泵浦光光强比变化的实验结果 ,并用理论公式进行了拟合 ,理论分析和实验结果相符 .还研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤四波混频光栅模式和相位共轭光时间响应特性 .光折变类光纤的相位共轭响应时间较快 ,可为秒量级 . 展开更多
关键词 光折变类光纤 简并四波混频 Ce:KNSBN
下载PDF
a-SiTFT/PIN图像传感器件 被引量:2
2
作者 赵颖 熊绍珍 +2 位作者 李璟 周祯华 李俊峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期83-90,共8页
在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN... 在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN的光电转换率可达 18.1n A/lx,a- Si 展开更多
关键词 有源选址 非晶硅薄膜晶体管 非晶硅光敏二极管 图像传感器
下载PDF
窄线宽可调谐半导体激光器
3
作者 吕福云 刘玉洁 +3 位作者 袁树忠 魏振兴 李加 张光寅 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期79-81,共3页
研究了一种利用光栅弱耦合外腔改善可见光半导体激光器性能的方法,并对650nm半导体激光器进行了实验,外腔镜由一个闪耀光栅构成,通过转动光栅角度,获得了窄线宽单模激光输出,谱线宽度0.1pm,线宽压窄比达9800,边模... 研究了一种利用光栅弱耦合外腔改善可见光半导体激光器性能的方法,并对650nm半导体激光器进行了实验,外腔镜由一个闪耀光栅构成,通过转动光栅角度,获得了窄线宽单模激光输出,谱线宽度0.1pm,线宽压窄比达9800,边模抑制比>20。 展开更多
关键词 弱耦合 可调谐半导体激光器 窄线宽
下载PDF
聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为 被引量:8
4
作者 刘恩峰 熊绍珍 +8 位作者 赵颖 谢伟良 吴春亚 周祯华 胡景康1张文伟 申金媛 陈建胜 张苑岳 张丽珠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期580-585,共6页
研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折 ,即电流或光强骤增而器件上压降减小 .“负阻”现象将随测量... 研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折 ,即电流或光强骤增而器件上压降减小 .“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失 .采用 CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像 ,发现光强的突变与电流的突变是相对应的 .对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现 ,反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为 .我们初步认为这些现象可能与 展开更多
关键词 有机发光二极管 稳定行为 聚合物
下载PDF
Ce∶KNSBN光折变光纤两波耦合特性研究 被引量:1
5
作者 刘宏利 王肇圻 +2 位作者 梁宝来 张春书 陈焕矗 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期694-698,共5页
研究了掺铈钾钠铌酸锶钡 (Ce∶KNSBN)光折变光纤“扇”特性及两波耦合的基本特性。通过实验发现 ,当入射光的入射角为 8°左右时 ,“扇”最小 ,这与块状晶体有根本的不同。在信号光与抽运光的入射夹角 2θ小于 11°时 ,两波耦... 研究了掺铈钾钠铌酸锶钡 (Ce∶KNSBN)光折变光纤“扇”特性及两波耦合的基本特性。通过实验发现 ,当入射光的入射角为 8°左右时 ,“扇”最小 ,这与块状晶体有根本的不同。在信号光与抽运光的入射夹角 2θ小于 11°时 ,两波耦合增益随入射夹角的增大而增大 ,而当入射夹角大于 11°时 ,两波耦合增益随着入射夹角的增大而迅速减小。给出了在各个不同的入射夹角下 ,两波耦合增益中透射的信号光的时间特性曲线。两波耦合增益随信号 抽运比的增加而增加 ,在入射夹角为 8° ,信号 抽运比为 1∶10 0 0时 ,两波耦合增益达到了 77,比块状晶体相应条件下提高了 4倍。用两波耦合的理论公式对增益随信号 抽运比的实验数据进行了拟合 。 展开更多
关键词 Ce:KNSBN 光折变光纤 两波耦合 “扇”特性 掺铈钾钠铌酸锶钡
原文传递
气相吡啶分子S_1态的(2+3)偏振共振多光子电离谱研究
6
作者 赵青春 林美荣 +2 位作者 李云静 张包铮 陈文驹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期769-774,共6页
利用气相吡啶分子分别在圆偏振光激发和线偏振光激发下的 (2 +3)偏振共振多光子电离(PRMPI)谱 ,对其第一激发态 (S1)上的振转结构进行了研究。在谱中观察到了呈双峰结构的电子振转跃迁谱带。分析表明 ,所有振动谱带均为 S1态上ν6a、ν1... 利用气相吡啶分子分别在圆偏振光激发和线偏振光激发下的 (2 +3)偏振共振多光子电离(PRMPI)谱 ,对其第一激发态 (S1)上的振转结构进行了研究。在谱中观察到了呈双峰结构的电子振转跃迁谱带。分析表明 ,所有振动谱带均为 S1态上ν6a、ν10 a、ν12 、ν16b和ν17a以及基态上ν9a的混合频率谱带。指认吡啶ν17a 的 S1态频率为 6 70 cm-1,并认为在 S1态上ν17a 频率降低的原因与ν10 a 类似。 展开更多
关键词 偏振共振多光子电离谱 气相 吡啶分子 S1态
原文传递
o光读出下Ce∶KNSBN晶体光栅的衍射特性 被引量:3
7
作者 梁宝来 王肇圻 +2 位作者 母国光 官玖洪 傅汝廉 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第17期1810-1813,共4页
实验研究了o光读出条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合作用写入体光栅的衍射效率与写入光光强比的关系 ,结果与e光读出情形有很大差异 .用修正耦合波理论对实验结果进行理论拟合 ,理论拟合与实验结果符合很好 .
关键词 光折变光栅 衍射效率 能量转移
原文传递
用最佳偏振角泵浦光提高晶体中两波耦合增益 被引量:1
8
作者 刘宏利 王肇圻 +1 位作者 杨新军 陈焕矗 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1135-1137,共3页
在信号光保持e光情况下,通过改变泵浦光的偏振方向,实现了Ce:KNSBN光折变类光纤中两波耦合增益的提高。通过实验发现,在入射夹角为7°时,泵浦光存在着最佳偏振角度10°,可以获得最大的两波耦合增益。在信-泵比较小时,泵浦光在... 在信号光保持e光情况下,通过改变泵浦光的偏振方向,实现了Ce:KNSBN光折变类光纤中两波耦合增益的提高。通过实验发现,在入射夹角为7°时,泵浦光存在着最佳偏振角度10°,可以获得最大的两波耦合增益。在信-泵比较小时,泵浦光在最佳偏振角度下可获得较高的两波耦合增益,并且可以一定程度地抑制扇光栅的产生,提高输出信号光的信噪比。信-泵比为1∶100时,获得两波耦合增益和信噪比分别是0°偏振角时的1.3倍和2.0倍。 展开更多
关键词 偏振角 泵浦光 光折变类光纤 两波耦合 信噪比 钾钠铌酸锶钡晶体
原文传递
a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用
9
作者 赵颖 熊绍珍 +5 位作者 王宗畔 孟志国 代永平 周祯华 张建军 姚伦 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1999年第2期102-106,112,共6页
本文报导当在室温下向非晶硅(a-Si)表面溅射钼(Mo)的过程中,Mo与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在a-Si界面为反应速率限制,而在与Mo交界面则为扩散速率限制。互作... 本文报导当在室温下向非晶硅(a-Si)表面溅射钼(Mo)的过程中,Mo与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在a-Si界面为反应速率限制,而在与Mo交界面则为扩散速率限制。互作用生成非晶态钼硅Mo:a-Si合金。它可阻止铝(Al)向a-Si中扩散,同时可改善a-SiTFT的接触特性。当用Al/Mo作a-Si薄膜晶体管(a-SiTFT)的源和漏电极时,可提高开关电流比达7~8个数量级。 展开更多
关键词 非晶硅 钼硅互作用 非晶钼硅合金 薄膜晶体管
原文传递
多适配性有源驱动液晶显示器
10
作者 刘志钢 耿卫东 +6 位作者 吴春亚 赵颖 孙钟林 吴迈 宋学冬 王延群 杨军 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1999年第2期113-115,共3页
本文从AM-LCD应用于高信息容量图象显示的角度,提出了多适配性小型AM-LCD的设计方案,并通过用于眼科A/B超声仪对设计方案进行了验证。在多种输入信号的情况下均获得了对整机显示效果具有重要意义的Vsys,Hsys... 本文从AM-LCD应用于高信息容量图象显示的角度,提出了多适配性小型AM-LCD的设计方案,并通过用于眼科A/B超声仪对设计方案进行了验证。在多种输入信号的情况下均获得了对整机显示效果具有重要意义的Vsys,Hsys和点时钟信号。 展开更多
关键词 多适配性 有源驱动 液晶显示器
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部