高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge^＋和Ge^2＋双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了10^16～10^18cm^-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge^＋和Ge^2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．

利用DV-X_α法研究铁在高压下的物理性质

采用密度泛函理论中原子簇嵌入模式的电荷自洽变分DV-Xα方法(Self-ConsistentofCharge-Discrite Variation-Embedded Cluster Model),对bcc结构用fcc结构的铁在较高压强范围内的物理参量进行了计算,得到了系统的总能随体积变化的关系,以及压强与体积的关系曲线;根据计算结果,作者得到平衡条件下,铁体心结构(bcc)晶格常数为2.75,面心结构(fcc)晶格常数为3.377;并推断出体心结构铁在17.75GPa压强下,可能转变成面心结构铁;还将得到的结果与实验结果和其它理论计算结果进行了比较,吻合较好.

热处理及训练对NiTi形状记忆合金弹簧双向记忆效应的影响

形状记忆合金作为双程驱动元件时通常是与一偏压元件同时使用来实现双程驱动[1,2 ] 。本文通过不同热处理制度对Ti Ni形状记忆合金的弹簧相变点和形状恢复率的影响以及训练次数对形状恢复率的影响研究 ,以期获得性能良好的双向记忆合金弹簧单独作为双向驱动元件的最佳处理条件。结果表明经 4 5 0℃热处理并经过 2

18 MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响

研究了用HZ B串列加速器的18MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响,辐照在奥氏体母相状态下进行。示差扫描量热法(DSC)表明,辐照后R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度TfA随辐照注量的增加而降低。当注量为1.53×1014/cm2时,TsR和TfA分别下降6K和13K,辐照未引起R相变结束温度TfR和逆马氏体相变开始温度TsA的变化。表明辐照后母相(奥氏体相)稳定。透射电镜(TEM)分析表明辐照后没有引起合金可观察的微观组织变化。辐照对R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度Af的影响可能是由于质子辐照后产生了孤立的缺陷团,形成了局部应力场,引起晶格有序度的下降所造成的。

研究堆低压电气贯穿件的密封性能

电气贯穿件的密封性能直接关系着整个反应堆的安全性能。为了使电缆贯通式的电气贯穿件能满足研究堆设计文件的密封性能要求,首先分析了贯穿件筒体和电缆密封的难点,针对遇到的难点,分别采取了法兰挤压硅橡胶板和电缆芯线灌胶密封的方法,对贯穿件的缝隙进行密封。利用氦质谱仪器,对低压电气贯穿件样机和电缆进行了密封检测实验,实验结果表明,电缆贯通式的低压电气贯穿件密封结构能满足研究堆的密封要求。

超短超强激光及微团簇与大尺度团簇相互作用

用2.5 MV静电加器提供的高品质微团簇束与固体、气体和大尺度团簇(100->1000原子/团簇)碰撞,超强飞秒激光与大尺度氘团簇相互作用,研究微团簇在大尺度团簇中的库仑爆炸特性,研究超短超强激光场中大尺度氘团簇的聚变机理.本文将介绍此项实验研究的进展.

晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜

用多靶射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率(40～100W)下在Si(100)基底上制备晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜。同时用四点探针(FPP)X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及其附带的能谱分析仪对薄膜的电性能和微结构进行表征。分析结果表明AlCrTaTiNi高熵合金薄膜在溅射功率为80W时的晶粒尺寸最大,电阻率最低,为160μΩ.cm左右。同时截面SEM形貌显示形成的晶体并非柱状晶体。

H^+辐照对不锈钢基体上涂覆W膜的微观研究

对奥氏体不锈钢基体上采用离子束混合技术进行不同厚度的钨膜沉积 ,沉积后的试样进行了H+注入前后的XRD和SEM微观分析 ,研究了H+辐照对W膜的晶体结构和形貌的影响。结果表明 ,沉积的W膜基本上是非晶的 ,还出现了由于污染造成的钨的氧化物。氢离子的辐照模拟结果表明 ,少量晶化的W向非晶化转变 ,污染的氧化物被择优溅射掉。H+轰击对W膜表面形貌的影响不大 ,它仍然致密、均匀、完整且无明显损伤。

H^+辐照前后C-SiC涂层的红外吸收光谱研究

对在不锈钢基体上用离子束混合技术沉积的C SiC涂层 ,进行了二次离子质谱 (SIMS)及傅氏变换红外吸收光谱(FI IR)的分析。研究了不锈钢基体涂覆前后的H+ 辐照的氢浓度分布以及H+ 辐照前后涂层的红外光谱振动吸收峰的变化 ,对SiC涂层阻氢的机理进行了探讨。

He离子辐照对石墨烯微观结构及电学性能的影响

本文采用5.4 ke V不同剂量的He离子辐照单层石墨烯,利用X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和半导体参数分析仪表征辐照前后石墨烯微观结构和电学性能变化.研究结果表明:随着辐照剂量增大,单层石墨烯的缺陷密度逐渐增加,当辐照剂量增至1.6×10^13 He+/cm^2,石墨烯开始由纳米晶结构向无定形碳结构转变,不断增多的缺陷致使石墨烯电导率持续降低,其电子输运机制也由玻尔兹曼扩散输运转变为跃迁输运;狄拉克电压(Vdirac)向正电压方向的偏移量随辐照剂量增大而增大,其主因是辐照缺陷和吸附杂质导致石墨烯P型掺杂效应增强.

H^+辐照前后Mo涂层表面的XPS分析

对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积的钼膜进行了H+辐照前后的XPS分析,研究了H+辐照对钼膜的结合能的影响。分析结果表明,沉积的钼膜中除了单质钼外,还有部分钼的氧化物;H+辐照结果表明,H+的辐照使钼的结合能向低能方向偏移;钼的氧化物有所减少,说明污染的氧化物在一定程度上被择优溅射掉。

H^+辐照前后W涂层表面的XPS分析

对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积的W膜进行了H+ 辐照前后的XPS分析 ,研究了H+ 辐照对W的结合能的影响。分析结果表明 ,沉积的W膜中除了单质钨外 ,还有部分钨的氧化物 ,H+ 辐照结果表明 ,H+的辐照使钨的结合能向低能方向偏移 ;钨的氧化物有所减少 。

电子束在VO_2薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变

利用能量为 1 .7Me V,注量分别为 1 .2 5× 1 0 13 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 14 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 15/cm2 的电子束辐照 VO2 薄膜 ,采用 XPS,XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起 VO2 薄膜中 V离子出现价态变化现象 ,并使薄膜的 X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了 VO2

离子束混合沉积C-SiC涂层的阻氢特性研究

对离子束混合技术制备的C SiC阻氢涂层进行了SEM形貌观察 ,比较了在相同组分的C SiC靶材下采用不同的Ar+ 离子轰击剂量 ,在相同的Ar+ 离子轰击剂量下采用不同组分的C SiC靶材所制备涂层的表面形貌特征 ,并由二次离子质谱 (SIMS)分析了C SiC涂层的阻氢性能 .结果表明 ,所制备C SiC涂层的表面形貌与靶材组分以及Ar+ 离子轰击剂量有关 ,不同的形貌特征对涂层的阻氢性能影响不同 .

VO_2薄膜γ辐照过程的变价和退火现象

对ＶＯ２薄膜进行不同剂量的γ辐照处理，利用ＳＥＭ和ＸＰＳ对辐照前后的薄膜进行分析，发现γ辐照诱导Ｖ离子出现不同价态之间的转变现象，并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关；较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤，当辐照剂量增大时，γ射线在ＶＯ２薄膜中产生退火效应，使薄膜表面质量得到改善。辐照后的ＶＯ２薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合，对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论。

^(125)I标记人血白蛋白及其在家兔体内代谢的研究

采用氯胺－Ｔ法标记了３种不同来源的人血白蛋白。用预饱和的Ｓｅｐｈａｄｅｘ Ｇ５０柱分离纯化１２５Ｉ标记人血白蛋白，并用ＨＰＬＣ法对标记物进行分析鉴定。取分离后的１２５Ｉ标记白蛋白配制示踪液，进行家兔体内代谢试验。用氯胺－Ｔ方法，１２５Ｉ标记人血白蛋白的标记率＞８０％。代谢研究表明，成都生物制品研究所柱层析、低温乙醇工艺和加拿大技层析工艺生产的人血白蛋白，其生物半减期分别为９６．１１±０．０１、８５．７５±２．６２和９０．００±１．６９，三者之间无显著性差异（＞０．０５）。

离子辐照钨基上碳薄膜微结构的分析

对钨基材料表面上射频磁控溅射沉积的碳膜进行了氩离子和氮离子的辐照，并作了XRD及XPS的分析。分析结果表明，不同离子辐照引起碳膜微结构的变化亦不同。氮离子辐照不仅使碳膜元素与基体元素发生混合，而且导致碳膜发生相变，生成碳-钨化合物，如α－W2C、WCx，同时氮离子本身与钨反应生成氮-钨化合物，如α－WN。氮离子辐照使无定形的碳膜中的生成相发生晶化，晶化的碳-钨化合物相、氮-钨化合物相的含量随氮离子辐照剂量的增加而提高。氩离子辐照却无此诱发作用，但发现氩离子辐照可有效消除氧的污染。随着氩离子剂量的增加，碳膜中污染氧的含量也随之减少。同时对有关机理作了相应的探讨。

γ射线辐照引起的VO_2薄膜结构和相变光学特性变化

利用剂量为 35kGy - 35 0 0kGy的Co60 源辐照VO2 薄膜 ,对辐照后薄膜进行XRD和激光Raman光谱测试。结果表明 ,较低剂量 辐照后VO2 薄膜出现较显著的晶态变差现象 ,而高剂量 辐照则在薄膜中产生退火效应 ,使薄膜晶态变好。由此引起VO2 薄膜的热致相变的光学特性、特征Raman峰的强度和位置随 辐照剂量的增加而出现变化。根据 射线与物质相互作用原理对

高压热处理石墨-六角氮化硼微晶混合物的结果分析

为了进一步研究用球磨法制备B C N物质的规律性,在4 5～5 8GPa压力、800～1300℃温度条件下,对用球磨法获得的石墨 六角氮化硼微晶混合物进行高压热处理。热处理后产物的XRD、XPS及FT IR测试表明:在4.5GPa、800℃时,样品中出现部分hBN晶化现象,但石墨仍然保持微晶状态;当温度升到1300℃时,样品中不仅存在晶化的hBN,而且出现一种类石墨结构的B C N三元化合物。与相关研究资料对比后认为:这一新化合物近似于BC3N。压力增加到5 8GPa而温度保持1300℃时,结果变化不大。

用IR研究H^+辐照对Mo涂层的影响

在不锈钢基体上采用离子束混合技术及电子束处理方法进行Mo薄膜沉积,沉积后的试样再进行氢离子注入.分别对氢离子注入前后的样品进行500~4000波数范围内IR分析,研究了氢离子辐照前后涂层的红外光谱振动吸收峰的变化,对Mo涂层的抗氢机理进行了探讨.