SRAM白光中子单粒子翻转注量率(10^(7)量级)效应研究

中子诱发中子单粒子效应进而影响电子设备或系统的稳定性和可靠性,本文基于中国散裂中子源BL06测试束线,在20 kW、50 kW、70 kW、80 kW和100 kW束流条件下,对800 nm、500 nm、350 nm和130 nm工艺静态随机存储器开展了不同注量率下白光中子单粒子翻转研究.实验发现:在误差允许范围内,中子注量率为1.34×10^(7)~6.68×10^(7 )n/(cm^(2)·s)时,白光中子诱发的中子单粒子翻转平均位翻转截面无明显变化,即当前注量率范围内,中子单粒子翻转基本不考虑注量率效应.