Si_3N_4无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构带隙的蓝移

用光荧光谱和二次离子质谱的方法 ,研究了由Si3N4 电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理。实验结果表明 ,带隙蓝移同退火时间和退火温度有关 ,合理选用退火条件可以控制带隙的蓝移量。二次离子质谱分析表明 ,电介质盖层Si3N4 和快速热退火导致量子阱中阱和垒之间互扩 ,这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。