自保护MOS栅晶闸管

本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件 .这种器件无寄生闩锁效应 ,并在较高阳极电压下展现出电流下降而不是饱和或上升的特性 .因此 ,这种新器件具有令人满意的正偏安全工作区 .器件的保护点由用户外接输入电阻自行调节 ,极大增加了使用的灵活性 .此外 ,器件保护点电流和电压的温度系数均为负 。

快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析

为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触.该结构可大大提高开关速度,并获得很软的反向恢复特性及很低的漏电流.与常规p+(SiGe)-n--n+功率开关二极管相比,反向恢复时间缩短了近2/3,反向峰值电流降低了约1/2,漏电流降低了约1个数量级.另外,嵌镶结构中p+区的厚度对器件性能有很大影响,调整p+区的厚度可实现器件的反向耐压能力和反向恢复特性之间很好的折衷.这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术因而很容易集成于功率IC中.

倒装芯片中铝腐蚀的红外显微镜观测研究

倒装芯片（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）是当前电子封装领域中的研究热点之一．本文利用新型的红外显微镜，在不破坏焊点的情况下，首次观测到一种倒装芯片封装器件经过稳态湿热试验后的铝腐蚀模式，并用一种有损失效分析的方法验证了红外显微镜的观测结果．实验发现。

SiGe超快速软恢复功率开关二极管(英文)

SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管。与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性。30%Ge含量的SiGe二极管反向恢复时间比同结构的Si二极管缩了短四分之三,软度因子接近于1。这些性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率集成电路中。