具有新型电荷产生层的叠层有机发光器件

研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成。研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产生和注入空穴。叠层器件性能与单发光单元器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了4.2cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2倍;同时,电荷产生层的性能与WO3薄膜厚度密切相关,WO3薄膜厚度为3nm时,器件的效率在整个电流范围内都保持稳定。采用薄层WO3作为电荷产生层为制备高效叠层有机发光器件提供了一条有效的途径。

基于新型共基质电子传输层的有机发光器件

研究了Liq:Bphen混合层的电子传输特性。采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%)∶Bphen/LiF/Al]的有机发光器件,基于共基质电子传输层的器件驱动电压比传统器件降低了13%而效率却提高了21%。研究表明通过优化混合层的掺杂浓度,可以显著提高电子传输层的导电率,降低驱动电压,从而提高器件的效率。

低维纳米光子晶体的制备及在有机激光谐振腔的应用

采用电子束曝光技术以及反应离子刻蚀技术,提出一种简单可控、低成本制备有序排布的一维和二维光子晶体阵列的方法。通过有效的控制刻蚀工艺参数,实现对光子晶体在尺寸、周期和表面结构等进行精确控制目的。此外,以一维光子晶体为衬底,利用甩膜方法成功地制得分布反馈式高分子有机激光器。光泵结果表明,该激光染料的放大自发辐射的阈值为260kW/cm2、半波宽为0.22nm。

界面金属间化合物对铜基Sn-3.0Ag-0.5Cu焊点拉伸断裂性能的影响

研究了Cu／Sn-3．0Ag-0．5Cu／Cu焊点在（150±1）℃时效温度下，0～1000h不同时间时效后焊点的拉伸断裂性能以及界面金属间化合物（IMC）的组织形态和成分。结果表明：随着时效时间的延长，焊点拉伸强度降低，拉伸断裂主要发生于Solder／IMC界面或／和IMC／IMC界面，而且断口形貌逐渐由韧窝状断口为主向解理型脆性断口转变。SEM研究发现，时效过程中界面IMC不断长大、增厚并呈针状或块状从Cu／Solder界面向焊点心部生长，时效1000h的焊点中IMC分层明显。半焊点结构为Cu／Cu3Sn／Cu6Sn5/Solder，同时，在靠近铜基体的IMC中有Kirkendall空洞存在。

碳酸铯修饰Al作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件

以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时,器件的开启电压为3.6 V,发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明,Al/Cs2CO3为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg∶Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明,以Cs2CO3修饰的Al电极功函数明显低于Mg∶Ag和Al电极,具有更好的电子注入效果。因此,除去微腔效应外,Al/Cs2CO3为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs2CO3阴极的有效电子注入。

薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高

制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V。实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。

MIMO-OFDM快衰落信道的稀疏自适应感知估计

在多输入多输出(MIMO)-正交频分复用(OFDM)系统中,怎样在较高频谱利用率的情况下对快时变信道进行较为准确的估计是一个具有挑战性的课题。该文在利用压缩感知理论可提高系统频谱利用率的基础上,提出了一种适合于快时变环境下MIMO-OFDM系统的稀疏自适应信道估计方法。该方法不再受到奈奎斯特采样频率条件约束,避免了传统导频辅助信道估计方法频谱利用率低的缺点。该文方法通过构建多天线群时频结构特征稀疏基,利用多天线间和群时变OFDM符号内信道冲激响应具有更强稀疏性的特点,对MIMO-OFDM快衰落信道进行稀疏变换。由于实际MIMO-OFDM快衰落信道往往处于频率选择性、时变性和多种干扰并存的复杂环境,受到干扰的信道参数对系统而言是未知,采用该方法克服了现有基于压缩感知理论的信道估计方法需要预先知道信道冲激响应稀疏度才能重构信道参数的不足,在信道稀疏度未知道的情况下,运用稀疏自适应的方法来对不同时频结构特征的信道参数进行估计。仿真结果表明所提估计方法具有对快时变信道参数估计的鲁棒性和较高频谱利用率,且均方误差小。

基于接触势差法的表面功函数测试装置

利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成。能在空气环境中快速测量半导体、金属、金属氧化物薄膜的表面功函数。我们运用此装置成功地对有机电致发光的阳极氧化铟锡(ITO)薄膜、p型硅片的功函数进行了测量,得到了样品经过UV-Ozone处理前后功函数随时间变化的曲线,为器件的优化提供了依据。

绝缘层/有源层界面修饰及对有机薄膜晶体管性能的影响

制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果表明,采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两种器件的开关电流比最高可达8×104,迁移率最高为1.22×10-3cm2/(V.s),而漏电流仅为10-10A,总体性能优于单层SiO2器件.

N_2O Plasma表面处理对SiN_x基IGZO-TFT性能的影响

采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2.V-1.s-1增加至8.1 cm2.V-1.s-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。

MIMO-OFDM快衰落信道的压缩感知估计方法

在快衰落多输入多输出(MIMO)-正交频分复用(OFDM)系统中,为了避免传统的信道估计方法中存在大量系数需要估计的问题,利用快衰落信道在角时延多普勒域可稀疏的特性,提出了基于压缩感知的MIMO-OFDM系统快衰落信道估计方法。根据压缩感知的受限等距特性(RIP),推导了一种少量导频随机结构测量矩阵,用于测量快衰落信道在角时延多普勒域稀疏系数。接收端可从这些少量的测量数据中以高概率重构出快衰落信道。理论分析与仿真结果都表明:该方法与传统的信道估计方法相比,所得到的系统数据传输效率及估计性能都有了明显提高。

依发光层顺序和厚度调节的多发光层白色有机发光器件

多层结构器件中发光层顺序及厚度对光谱影响很大。文章以RBG(红蓝绿)为基色,制备了具有不同发光层组合次序及厚度的系列白色有机电致发光器件。器件结构为ITO/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/EML/LiF(1nm)/Al(100nm)。使用的蓝色发光材料为2-t-butyl-9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(TBADN),掺杂剂为p-bis(p-N,N-diphenyl-amono-styryl)benzene(DSA-Ph),绿色发光材料为tris-[8-hydroxyquino-line]aluminum(Alq3),掺杂剂为C545,红色发光材料为tris-[8-hydroxyquinoline]aluminum(Alq3),掺杂剂为4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)。通过调节各发光层的顺序和厚度,在200mA.cm-2时,得到了电流效率为5.60cd.A-1,色坐标为(0.34,0.34)的性能稳定的白光器件。当电流密度为400mA.cm-2时,最大亮度达到了20700cd.m-2。根据激子产生及扩散理论对实验结果进行了分析,建立了发光光谱与各发光层的发光效率、各层厚度及激子扩散层长度之间的关系方程,并以其计算了具有不同红层厚度的RBG结构的光谱的红蓝强度比。计算结果表明实验结果与理论相符。

基于噪声检测的置换混叠图像盲分离

置换混叠图像盲分离作为一类新型的单信道盲分离,在理论和方法上与传统的单信道盲分离有着本质的不同。针对一类置换区域含噪声的置换混叠图像,本文提出一种基于噪声检测的置换混叠图像盲分离算法。本文首先给出置换混叠图像的数学模型,对置换混叠图像用非零元个数约束的K-SVD算法进行训练得到其稀疏表示的字典,利用学习得到的字典对置换混叠图像去噪,然后利用去噪后的置换混叠图像与原图像作差运算得到差图像,通过检测差图像来确定出置换区域的位置和大小。并利用图像形态学运算优化置换区域,采用阈值化操作分离出置换图像。实验结果表明,本文算法能够较好的从置换混叠图像中分离出置换图像,并且不受置换图像的大小、位置、个数和置换图像所含噪声大小的影响。

基于稀疏分解的置换混叠图像盲分离

针对一类存在形态差异的置换混叠图像，提出了一种基于稀疏分解的置换混叠图像盲分离新算法。该算法为了利用置换混叠图像中被置换区域和置换区域在不同的字典上稀疏表示存在的稀疏差异，分别选择Contourlet变换基字典和局部离散余弦变换基字典作为分离的特征域，通过置换混叠图像在两个特征域上的稀疏形态分解，把纹理图像从置换混叠图像中分离出来。实验结果表明，对于一类包含分片光滑和纹理成分的置换混叠图像，该算法能够有效地把纹理图像从置换混叠图像中分离出来，同时，对纹理图像的大小、位置、个数和类型具有鲁棒性。

基于P3HT给体的单/双受体平面异质结电池性能及其介电特性

为了研究分析界面电荷等特性对器件的影响,制备了基于P3HT给体的单/双受体平面异质结(PHJ)有机太阳能电池(OPV)。首先研究了P3HT膜厚、P3HT溶剂和P3HT膜层的干燥时间对器件性能的影响。为了提高P3HT/Sub Pc PHJ电池的性能,采用双受体的三元器件结构(P3HT/Sub Nc/Sub Pc),制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/P3HT/Sub Nc/Sub Pc/BCP/Al的三元瀑布型OPV器件并研究了Sub Nc层厚度对其性能的影响。结果表明,在二元器件(P3HT/Sub Pc)体系中,P3HT溶于氯仿和1,2-二氯苯混合溶剂,成膜后干燥10 min退火获得的器件性能最佳。在三元器件中,随着Sub Nc厚度的增大,器件光电转换效率(PCE)先增大后减小。当Sub Nc厚度为5 nm时,器件PCE达到最大。相比于二元器件,三元器件的各项性能得到明显提升。最后,比较研究了不同厚度Sub Nc薄膜对器件介电特性的影响。

基于差分进化的置换混叠图像盲分离

针对1类存在模糊差异的置换混叠图像,提出了1种基于差分进化的置换混叠图像盲分离算法。选择空域作为特征域,将置换混叠图像的梯度图像分成小块,并为每个小块设定个阈值,组成1个阈值向量。利用差分进化算法获得最优的阈值向量,将置换混叠图像阈值化为二值图像,利用图像形态学实现二值图像分离出置换图像。实验结果表明,与阈值法相比较,本算法能较好地把置换图像从置换混叠图像中分离出来,而不受置换图像位置、大小和个数的限制。

不同空穴注入层对有机电致发光器件的影响

研究了不同空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响,结果表明,由于m-MTDATA具有良好的成膜性,以及空穴注入能力,可以改善空穴向发光层的注入,有助于提高器件的效率。

用反应溅射法沉积SiO_x绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性(英文)

制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。

载流子平衡的低压高效有机发光器件

分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA∶x%4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层之间加入高迁移率的Bphen∶Liq层增强器件的电子注入,制备了结构为ITO/m-MTDATA∶x%4F-TCNQ/NPB/Alq3/Bphen∶Liq/LiF/Al的有机发光器件。研究了传输层的单载流子器件行为,同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的整体效率也会受到影响,在实验中通过调节4F-TCNQ的质量百分比,来调控空穴的注入和传输,使载流子达到了较好的平衡。器件的最大电流效率和流明效率分别达到了6.1 cd/A和5.2 lm/W。

氧化锌基薄膜晶体管最新研究进展

ZnO基TFT被认为是最有可能取代当前大规模产业化的a-Si:H TFT的下一代MOSFET,在最近几年受到广泛的关注。简单介绍了ZnO基TFT的结构、原理、各层材料的作用、要求和制造方法以及可靠性研究,包括时间、温度和可见光或紫外光辐照以及偏压作用对器件特性的影响方面的最新进展,分析了实现产业化尚需克服的问题。