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铌掺杂对Ce-Nb-TiO_2系压敏陶瓷结构与电性能的影响 被引量:1
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作者 姬颖敏 唐子龙 +2 位作者 苏利红 李红耘 罗绍华 《电瓷避雷器》 CAS 2006年第5期21-24,28,共5页
研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压(U1mA=7.22V/mm)、高的非线性系数(α=5.76),是一种很有潜力的新型电容-压敏陶... 研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压(U1mA=7.22V/mm)、高的非线性系数(α=5.76),是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2(Si2O7)O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。 展开更多
关键词 Ce—Nb—TiO2系压敏电阻 压敏陶瓷微观结构 压敏电阻电性能
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Sr_(0.4)Pb_(0.6)TiO_3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响 被引量:1
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作者 赵景畅 李龙土 桂治轮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期311-315,共5页
采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻... 采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应.利用XRD、SEM和EDS分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析,结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高,而Pb含量相对较低,材料的阻温特性明显受其影响.铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一,同时探讨了Y3+离子掺杂(Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导化机理和热敏特性. 展开更多
关键词 晶界 热敏特性 (Sr Pb)TiO3 PTCR NTCR 半导体陶瓷
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制备CoAl2O4/ZrO2复相陶瓷及微观结构
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作者 刘国全 王巍 谢志鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期337-340,共4页
采用化学沉淀的方法,在氧化锆粉体表面包覆了10~20 nm厚的铝和钴的氢氧化物,高温烧结后制备了CoAl_2O_4/ZrO_2复相陶瓷。由于高温下CoO的挥发,少量过剩的Al_2O_3扩散进入CoAl_2O_4晶格而导致其晶格常数变小。XRD相分析发现CoO和Al_2O_... 采用化学沉淀的方法,在氧化锆粉体表面包覆了10~20 nm厚的铝和钴的氢氧化物,高温烧结后制备了CoAl_2O_4/ZrO_2复相陶瓷。由于高温下CoO的挥发,少量过剩的Al_2O_3扩散进入CoAl_2O_4晶格而导致其晶格常数变小。XRD相分析发现CoO和Al_2O_3的引入对基体氧化锆的四方相含量没有显著影响。研究结果表明,化学沉淀包覆的方法有利于反应物的均匀混合,缩短传质距离而促进固相反应,并在一定程度上保证复相陶瓷结构的均匀性。 展开更多
关键词 复相陶瓷 CoAl2O4 化学包覆
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3D-Cf/SiC复合材料的弯曲强度及热膨胀性能分析 被引量:5
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作者 殷晓光 马天 +1 位作者 李正操 苗伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期363-366,共4页
采用料浆浸渗和CVI工艺制备了含有ZrB2陶瓷颗粒的3D-Cf/SiC复合材料,对其进行弯曲强度和线热膨胀系数测试,通过扫描电镜观察复合材料的表面及断口形貌。结果表明,3D-Cf/SiC复合材料的弯曲强度为107.99MPa,满足一般热防护材料的使用要求... 采用料浆浸渗和CVI工艺制备了含有ZrB2陶瓷颗粒的3D-Cf/SiC复合材料,对其进行弯曲强度和线热膨胀系数测试,通过扫描电镜观察复合材料的表面及断口形貌。结果表明,3D-Cf/SiC复合材料的弯曲强度为107.99MPa,满足一般热防护材料的使用要求;其线热膨胀系数随温度变化的规律是由于碳纤维和SiC陶瓷基体之间线热膨胀系数的不匹配及热残余应力造成的。 展开更多
关键词 3D—Cf/SiC 复合材料 弯曲强度 线热膨胀系数
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非均匀沉淀法制备尖晶石相着色氧化锆陶瓷的研究 被引量:4
5
作者 王巍 刘伟 +1 位作者 杨现峰 谢志鹏 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2012年第4期411-415,共5页
通过化学非均匀沉淀的方法,在纳米氧化锆粉体表面包覆10~40nm厚的着色剂絮状沉淀,高温烧结后制备了CoAl2O4/Y-TZP蓝色氧化锆陶瓷。化学非均匀沉淀的方法由于能够有效的缩短着色相合成的传质距离,从而降低了着色剂挥发,改进了制品内着... 通过化学非均匀沉淀的方法,在纳米氧化锆粉体表面包覆10~40nm厚的着色剂絮状沉淀,高温烧结后制备了CoAl2O4/Y-TZP蓝色氧化锆陶瓷。化学非均匀沉淀的方法由于能够有效的缩短着色相合成的传质距离,从而降低了着色剂挥发,改进了制品内着色相分布的均匀性。研究结果表明,化学非沉淀沉淀法相比较传统的固相混合法,更有利于着色相合成反应物的均匀混合,缩短传质距离而促进固相反应,并在一定程度上保证了彩色氧化锆陶瓷颜色的鲜艳亮丽。 展开更多
关键词 非均匀沉淀法 复相陶瓷 尖晶石相
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纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为 被引量:10
6
作者 张波 李建保 +2 位作者 孙晶晶 张淑霞 翟华嶂 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-21,共3页
通过碳热还原法合成了纳米 Si C粉并对其在 8.2~ 12 .4GHz频率范围的介电参数进行了测量。通过改变铝含量和反应气氛分别得到了 β,12 H和 2 1R型碳化硅粉。β- Si C粉具有比 α- Si C粉高得多的相对介电常数ε′r=30~ 5 0 )和介电损... 通过碳热还原法合成了纳米 Si C粉并对其在 8.2~ 12 .4GHz频率范围的介电参数进行了测量。通过改变铝含量和反应气氛分别得到了 β,12 H和 2 1R型碳化硅粉。β- Si C粉具有比 α- Si C粉高得多的相对介电常数ε′r=30~ 5 0 )和介电损耗角正切值 (tgδ =~ 0 .7)。虽然 Al和 N的固溶将 Si C粉的电阻率减小到 10 2 Ω· cm的量级 ,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加 ,反而随 展开更多
关键词 介电性能 缺陷 碳热还原 碳化硅 纳米粉 合成 结构陶瓷 微波烧结 微波吸收剂 微波介电行为
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长余辉光致发光玻璃的制备及其性能研究 被引量:20
7
作者 林元华 张中太 +2 位作者 陈清明 唐子龙 龚江宏 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2000年第1期1-6,共6页
利用传统陶瓷制备方法合成了SrAl2 O4:Eu ,Dy长余辉发光粉体 ,该磷光体主发射波长位于 5 2 0nm ,余辉时间长达 8h以上 .并以硼硅酸盐低熔点玻璃为底材 ,掺杂该发光粉体 ,在一定温度下烧成 ,制得长余辉发光玻璃 .研究表明 ,烧成温度对该... 利用传统陶瓷制备方法合成了SrAl2 O4:Eu ,Dy长余辉发光粉体 ,该磷光体主发射波长位于 5 2 0nm ,余辉时间长达 8h以上 .并以硼硅酸盐低熔点玻璃为底材 ,掺杂该发光粉体 ,在一定温度下烧成 ,制得长余辉发光玻璃 .研究表明 ,烧成温度对该玻璃的发光性能影响较大 ,随着温度的升高 ,发光强度及余辉时间明显下降 .四点弯曲法测定试样的断裂强度约为 44 .3 3± 2 .65MPa ,Knoop压痕弯曲梁法测定试样的断裂韧性为0 .5 5MPa·m12 . 展开更多
关键词 发光玻璃 长余辉发光粉体 制备 发光性能
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长余辉蓄光玻璃的制备及其性能研究 被引量:14
8
作者 陈清明 林元华 +1 位作者 张中太 唐子龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期208-209,共2页
利用传统陶瓷制备方法合成了SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光粉体,该磷光体主发射波长位于520nm,余辉时间长达8h以上。并以硼硅酸盐低熔点玻璃为底材,掺杂该发光粉体,在一定温度下烧成,结果制得长余辉蓄光玻璃。研究... 利用传统陶瓷制备方法合成了SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光粉体,该磷光体主发射波长位于520nm,余辉时间长达8h以上。并以硼硅酸盐低熔点玻璃为底材,掺杂该发光粉体,在一定温度下烧成,结果制得长余辉蓄光玻璃。研究还表明,烧成温度对该玻璃的发光性能影响较大,随着温度的升高,发光强度及余辉时间明显下降。 展开更多
关键词 长余辉 蓄光玻璃 烧成温度 发光性能 制备
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废玻璃再生利用制备长余辉蓄光釉面砖及其性能的研究 被引量:3
9
作者 吕霄 林元华 +2 位作者 张中太 唐子龙 温长英 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第1期16-18,共3页
利用传统陶瓷制备方法合成了SrAl2 O4 :Eu ,Dy长余辉发光粉体 ,该磷光体主发射波长位于 5 2 0nm ,余辉时间长达 2 0h以上 .将该发光粉掺入适量的低熔点玻璃料 ,经 780℃烧成 30min合成了性能较好的低温发光釉料 .以废玻璃、粘土为主要... 利用传统陶瓷制备方法合成了SrAl2 O4 :Eu ,Dy长余辉发光粉体 ,该磷光体主发射波长位于 5 2 0nm ,余辉时间长达 2 0h以上 .将该发光粉掺入适量的低熔点玻璃料 ,经 780℃烧成 30min合成了性能较好的低温发光釉料 .以废玻璃、粘土为主要原料添加其它少量助剂 ,经过成型、预烧 ,将低温发光釉料涂覆在其上 ,在一定温度下烧成 。 展开更多
关键词 废玻璃 长余辉光釉面砖 发光性能 再生利用 建筑材料
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结晶氯化铝对沙漠绿化砖机械性能的影响研究 被引量:1
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作者 李婷 邓湘云 李建保 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2009年第4期452-457,共6页
利用结晶氯化铝与水玻璃反应生成的铝改性硅胶做粘结剂制备沙漠绿化砖。分别采用核磁共振仪、扫描电子显微镜和万能材料试验机测试分析了铝改性硅胶固沙块试样的结构、成分以及机械性能。结果表明:固沙砖材料抗压强度随铝盐固化剂浓度改... 利用结晶氯化铝与水玻璃反应生成的铝改性硅胶做粘结剂制备沙漠绿化砖。分别采用核磁共振仪、扫描电子显微镜和万能材料试验机测试分析了铝改性硅胶固沙块试样的结构、成分以及机械性能。结果表明:固沙砖材料抗压强度随铝盐固化剂浓度改变,在浓度为2mol/L时达最大7.121MPa;2mol/L氯化铝改性硅胶中形成的铝氧四配位体稳定性高于1mol/L氯化铝改性硅胶中形成的铝氧六配位体,并从晶体场中能量效应和铝氧键键长、键强两个方面予以证明,这是影响固沙块试样抗压强度改变的主要原因;此外,由扫描电镜能谱分析得试样中Si∶Al原子比约为5∶1,推测此改性硅胶中含有-Si-O-Al-O-(Si-O-)4基团。 展开更多
关键词 铝改性硅胶 机械强度 核磁共振 能谱分析
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