FS4600指纹传感器 美国新思科技有限公司

新思科技（Synapdcsl的FS4600指纹传感器系列面向主流和入门机型提供高性能、便捷、安全的生物识别。FS4600产品系列支持方形、圆形、椭圆和细长矩形设计，可集成在设备正面、背面或侧面。OEM厂商可以选择多种涂层工艺，包括聚合材料、陶瓷或玻璃。

一种基于约束求解的Verilog语言静态分析方法

由于硬件描述语言Verilog中存在赋值语句的并发行为,对其验证一直是静态分析技术的一大挑战。针对Verilog程序的正确性问题,提出一种基于布尔约束求解的Verilog验证方法。通过分析Verilog语义特点,采用分步编码的方式对Verilog并发赋值语句进行处理。实验结果显示,该方法能有效地检测Verilog程序中设计的缺陷,并给出错误发生时程序的状态。

基于Mealy机精化关系的验证算法

与传统验证方法相比,形式验证技术因其完备性,已在数字电路设计领域中得到越来越多的关注。通过对形式验证技术和状态机的研究,在LTL公式的可实现策略基础上,提出一个基于Mealy机精化关系的验证算法,实现了一个搜索工具原型:支持算术表达式的LTL性质描述,在设计空间中搜索满足给定规范的输入输出信号。该技术可应用于定位电路设计中满足给定功能性质的代码片段。

一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管

提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构.与目前其他报道的CMOS器件相比,NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向,且均有埋层氧化层将其与衬底隔离,器件结构简单、紧凑,集成度增加了一倍.报道了积累型圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,由于克服了不对称场的积聚,如锐角效应导致的漏电,器件沟道的电完整性得到很大改善.SOI圆柱体全包围栅场效应晶体管在积累工作模式下,电流流过整个圆柱体,具备高载流子迁移率,低低频器件噪声,并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应,增大了器件的阈值电压.亚10nm尺寸下,器件的开/关态电流比值大于106,表明器件具备良好的性能及进一步按比例缩小的能力.另外还简单介绍了器件制作工艺流程,提出的工艺流程具备简单且与常规CMOS工艺流程兼容的特点.

基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法(英文)

提出了基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法,其考虑了一维和二维图形之间光刻胶有效扩散长度的不同.该方法的一个重要步骤在于建立起全新的校准流程,使得一维图形和二维图形具有相同的光学参数和不同的光刻胶有效扩散长度.另外,在该模型校准流程中提出了一种基于可制造性设计理念的交互.从校准结果的关键尺寸误差及仿真轮廓和扫描电子显微镜图像的对比来看,基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法的输出模型更加精确和稳定.

数据驱动的广告产业的程序化进化

程序化通常被理解为技术问题,但与广告业有何关联,这是一个需要深思的问题。通过广告类的基本流程发现,数字产业是比重较大的一块领域。数据流和技术流将整个产业区分成不同的领域,有各种各样的技术方式,可以看到广告领域中,技术和数据是重要的驱动力。