影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究

选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果。保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不变。在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,SiC表面的抛光去除速率进一步增加。通过优化的抛光参数,SiC表面的抛光去除速率达到142 nm/h。进一步研究结果表明,保持化学机械抛光过程中氧化作用与机械作用相匹配,是获得高抛光效率和良好的表面质量的关键。表面缺陷检测仪(Candela)和原子力显微镜(AFM)的测试结果表明,SiC抛光片表面无划痕,粗糙度达到0.06 nm。外延后总缺陷密度小于1个/cm2,粗糙度达到0.16 nm。

4H-SiC晶体中的层错研究

采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏<11ˉ20>方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体,并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层错缺陷的形貌特征和生长过程中氮掺杂对4H-SiC晶体中堆垛层错缺陷的影响。结果显示,4H-SiC晶片表面的基平面位错缺陷的连线对应于晶体中的堆垛层错,并且该连线的方向平行于<1ˉ100>方向。相对于非故意氮掺杂生长的4H-SiC晶体,氮掺杂生长的4H-SiC晶体中堆垛层错显著偏多。然而,在氮掺杂生长的4H-SiC晶体的小面区域,虽然氮浓度高于其他非小面区域,但是该小面区域并没有堆垛层错缺陷存在,推测这主要是由于4H-SiC晶体小面区域特有的晶体生长习性导致的。

碳化硅单晶炉供电系统电能质量分析及技术改造

针对碳化硅单晶炉供电系统的电能质量状况,对产生谐波的原因及对电网造成的危害进行了分析。通过对该类负载的特性分析,提出了采用有源电力滤波器进行电能质量治理的解决方案,并取得了很好的滤波和节能效果。

DJL-600型碳化硅单晶炉运行维护与故障排除

介绍了DJL-600型碳化硅单晶炉的基本结构和电气控制系统的工作原理,结合实际工作经验和设备的结构特点阐述了DJL一600型单晶炉的维护和常见故障排除方法。

碳化硅单晶炉真空泄漏的检测方法

SiC(碳化硅)单晶炉炉室真空密闭性能是衡量单晶炉设备性能好坏的重要因素。在使用单晶炉和维护过程中,采用不同的工艺循序渐进地对单晶炉真空密闭性能进行检验,可提高单晶炉设备的性能。