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我国国企集团集中式财务管理模式设计 被引量:4
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作者 王勇 《中外企业家》 2014年第6期149-150,共2页
本文从国企集团概念、特征、企业集团财务管理模式类型、我国国企集团财务管理模式的现状及问题的研究分析上,创新设计了集中式财务管理模式,对国企集团提升财务管理水平做了有效尝试。
关键词 国企 财务管理 模式 设计
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铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善 被引量:3
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作者 宁洪龙 胡诗犇 +9 位作者 朱峰 姚日晖 徐苗 邹建华 陶洪 徐瑞霞 徐华 王磊 兰林锋 彭俊彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期65-71,共7页
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu... 在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu结构TFT相比,具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2μm)、更低的接触电阻(~1072Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2),能够满足TFT阵列高导互联的要求. 展开更多
关键词 高导互联 非晶氧化铟镓锌 薄膜晶体管 铜-钼源漏电极
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