用于LCD驱动芯片的高精度可调电压产生电路

针对液晶显示器(LCD)芯片中各模块不同的负载与供电需求,同时为了兼容更多同类型LCD驱动控制电路,设计并实现了一种高精度可调电压产生电路。该电路以零温漂基准电压电路为核心,由低压差线性稳压器(LDO)、电荷泵等组成。在温度检测电路与8 bit模数转换器的协同作用下,配合数字模块的设置值得到放大系数,并用于LDO模块得到最终的驱动电压。通过仿真得到,当电源电压(V_(DD))大于1.72 V时,带隙基准电压(V_(ref))可稳定在1.23 V;温度为-20~80℃时,V_(ref)的斜率为±15μV/℃;电荷泵在3.3 V的输入电压下输出电压为19.794 V,满足6倍的升压范围且效率满足既定目标。采用0.18μm CMOS工艺流片并对其进行测试,与仿真结果相比,实测结果存在部分因工艺模型导致的误差,但差值均在±10%的误差许可范围内,表明了此电路的可行性和实用性。

基于RISC-V芯片的内置Flash自编程实现方式

对现有的两种Flash自编程实现方式进行了分析,发现其设计实现都比较复杂。在新的应用背景需求下,基于RISC-V芯片的实现方式,提出了一种简单高效的Flash自编程方法。硬件设计在不改动原有Flash控制器架构的基础上只增加了几个自编程的控制寄存器和控制状态机。详细描述了实现方法和流程,并验证了功能的正确性。其整体硬件设计结构简单,操作流程方便快捷。

一种高精度高稳定性的片内振荡电路设计

作为系统时钟源,振荡电路的频率特性会影响芯片工作性能。为提高片内振荡器输出时钟的精度及稳定性,设计一种基于RC结构的振荡电路。该振荡电路采用带隙基准产生电容充电电流及基准电压,通过调整镜像管比例进行频率粗调校正,通过调整基准电压大小和温度系数以实现频率细调校正及温度特性校正。电路基于55 nm CMOS工艺设计实现,仿真结果表明,典型条件下电路工作输出为30 MHz,50%占空比时钟,在1.6~5.5 V、-40~125℃工作范围内,振荡频率偏移位0.6%以内,中心校准精度为0.5%,可作为片内高精度时钟源或参考时钟。

基于DSP的1553B芯片单粒子效应监测平台设计

空间辐射会导致电子设备中的半导体器件发生单粒子效应(SEE),使半导体器件工作异常,进而导致设备发生故障,因此研究器件的单粒子效应在航天领域极其重要。JBU61580是中科芯(58所)公司,研制的一款1553B总线终端接口芯片。文中介绍了基于CMDSPF2812芯片进行的JBU61580芯片单粒子效应监测平台的研究与设计。

用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路

设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度。基于0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证。仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5μs,可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。

用于GaN HEMT栅驱动芯片的高精度欠压保护电路

设计了一种用于GaN HEMT器件栅驱动芯片、能提供快速响应高精度阈值电压的高精度欠压保护电路。该电路一方面采用宽电压摆幅和快速响应的两级比较器电路来提高处理速度;另一方面,输出整形电路采用RC低通滤波和两级施密特触发器组合滤波,以滤除高频噪声的影响,产生稳定可靠的欠压保护输出信号。基于0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证,仿真结果显示电路功能正确,可满足GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。

一种基于MCU芯片的FPGA原型验证平台设计

为了缩短MCU芯片开发周期,提出了一种基于MCU芯片FPGA原型验证平台设计。该设计是将传统FPGA原型验证过程中使用FPGA的RAM原型替换程序存储单元,改为使用FPGA双端口RAM替换。其中一个端口控制按照传统的接入方法,另一端口控制信号接到专门的控制逻辑上,独立控制,而且不影响原MCU芯片功能。该方法不仅节省多次FPGA综合实现的时间,而且可以灵活实时监测RAM,方便查错。同时该方法具有通用性,可移植到类似的SoC系统架构FPGA原型验证系统中去。

USB音频设备中同步时钟系统的设计

USB通信协议采用2线差分(D+/D-)信号传输数据,主机与从机(USB设备)之间没有专门的同步时钟连线,数据传输的同步信息包含在数据包的同步字段。为了保证通信可靠正确的进行,从机的数据同步时钟频率必须严格跟随主机数据比特信息的时序。为此设计了一款应用于USB音频外设的电荷泵锁相环(CPPLL),输入参考时钟采用小数分频的方式,动态跟随主机传输速率的变化,最终PLL产生的系统时钟精度可达±0.05%,锁定时间小于70μs,频率跟随范围为70 MHz~230 MHz。该设计采用0.153μm CMOS工艺流片,实测结果表明所设计时钟系统能够提供精确相位和频率的时钟,确保音频设备与主机可靠正确的通信。

一种ADC中采用的开关电容比较器的设计

文章介绍了一款模数转换器中采用高精度开关电容结构的比较器电路的设计。该电路采用3阶放大结构,具有低失调、低功耗、精度高、易于扩展等优点。文中详细介绍了开关电容比较器的基本工作原理,分析了电路误差的产生机理,在此基础上提出了为减小失调和误差、进一步改善电路性能而采取的抑制开关电容比较器电荷注入和时钟馈通效应提高精度的具体措施。电路设计基于中微晶圆0.6μm N-WELL DPDM CMOS工艺,并使用HSPICE软件进行仿真,整个电路通过流片验证,电路参数达到设计指标,满足使用要求。

基于微型计算机的高压交流参数自动测试系统

长期以来,数字高压集成电路的交流参数测试是一项比较难实现的工作,传统ATE设备往往不能实现60 V以上的交流参数的测试。讨论了基于微型计算机的高压交流参数自动测试系统的开发,通过软硬件的设计,提供了一种高压交流参数的生产测试方案,详细阐述了软件和硬件的设计思路和方法。目前该测试系统已大量用于高压集成电路的测试,系统采用直接明了的图形化编程方式,具有较强扩展性,成本低廉、实用性强。

分析集成电路电磁兼容测试PCB设计要点及应用

随着当前集成电路的不断发展,其对于电磁兼容产生了一定影响,在此情况之下,电磁兼容测试逐渐受到了更多重视,而PCB设计对于电磁兼容测试结果的准确性有着直接影响。此次研究的主要目的在于明确集成电路电磁兼容测试PCB设计的要点内容及其应用,以此保障测试数据的精准度,进一步提高集成电路运行的可靠性以及稳定性。对此,从电磁发射以及敏感度两个方面,简要介绍了现代集成电路发展对于电磁兼容的影响,分析了集成电路电磁兼容测试PCB设计要点,包括PCB测试板要求、屏蔽设计和电源滤波及I/O负载匹配。最后结合实际案例,总结分析了集成电路电磁兼容测试PCB原理图以及结构设计要点及应用。

高速运算放大器低失调输入级的设计

差分对结构是运算放大器(运放)的基础结构,对电路性能至关重要。现实中,工艺偏差无法避免,其带来的失配会影响运放的精度。对多级运放而言,输入级的失调程度决定了整个放大器的精度,因此低失调输入级成为运放设计的重点之一。为获得低失调的运放输入级,研究了差分对电阻RC和电路失配的关系,通过修调失配电阻ΔRC补偿其余失配项带来的影响。使用西岳4μm 50 V的工艺做全芯片参数验证,结果表明,失调电压低于60μV,相较于通用运放减小了76%;温漂系数可达0.3μV/℃,相较于通用运放减小了50%。这种方法简单、方便,可避免对电路结构做大规模调整,且对电路功耗的影响可以忽略。

关于PCB设计流程的思考与分析

PCB品质从某种层面上来说,对电子产品的可用性、服役年限、适用场合等都起到决定性的作用。基于此,简单叙述PCB设计,并按照常规设计流程展开分析,包括绘制原理图、叠层设计、布局与布线、接地。进一步思考设计流程的优化问题,在原有流程结构的基础上,增加中心库与公共数据库,促使各设计环节之间得以有效对接,提高信息的利用率,并有助于提升设计成果质量,控制前期成本投入。

国内外MCU行业技术与市场分析

本文对微控制器(MCU)的组成、产品分类及应用、产业链情况做了概述,梳理并分析了国内外MCU技术和市场情况,总结了我国MCU产业发展面临的挑战,并从需求牵引、完善产业链布局、联合技术攻关三个方面提出举措和建议,以期为我国发展MCU产业提供参考和借鉴。

可扩展红外编码系统设计

红外通信因具有可靠性高、保密性强等特点,被广泛应用于多个领域。但红外编码结构复杂多样,目前已有的红外编码系统无法满足多种红外编码格式的扩展需求。为解决以上问题,提出了一种可扩展红外编码系统设计方案。基于红外编码芯片AiP4911和AiP4912设计矩阵按键电路,基于微软基础类库(MFC)框架设计红外编码软件界面并构造编码结构解析框架,利用可扩展标记语言(XML)文件记录编码通用信息,实现了可扩展功能。测试结果表明,该系统很好地实现了可扩展功能,同时经误差补偿后的编码精度在±2%以内,满足了高精度和可扩展的需求,有利于红外编码的广泛应用。

基于FPGA的TFT-LCD控制器设计与实现

提出了一种基于FPGA的TFT-LCD控制器设计方案,通过片外增加显示存储器SDRAM,以及用于储存多种字库和图片的FLASH芯片,片内嵌入精简指令集和图形加速引擎的方法,增强在文字和图形控制上的灵活性。在系统模块层次划分的基础上,利用Verilog硬件描述语言对各模块进行描述和设计,并在Xilinx的XC3S500E上加以实现。测试结果表明,该系统可支持分辨率最大为800×600的TFT-LCD显示屏,刷新频率达到60 Hz,并支持图文混排显示等功能。

一种新型高压输入开关电源的设计

大规模集成电路的出现,促进了电子设备的高功率密度化。这要求为之供电的直直变换器也随之高功率密度化。高频、高效开关变换是直直变换器实现高功率密度的基础。文章阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的新型高压输入DC/DC反激开关电源,并给出了详细的电路参数及高频变压器的设计方法,该开关稳压电源采用双闭环电流控制模式,其输入、输出电路采用光耦隔离。

一种可校准的高精度低温偏的片内高速振荡设计

提出了一种可校准,高精度,低温偏的RC高速振荡器的设计。该高速振荡采用数字校准的方式实现目标频率±0.4%以内的偏差;通过温度补偿设计得到全温范围±1.5%以内的频率偏差。版图设计上,比较器和电容组的对称排列布置保证其振荡的稳定性。仿真计算及实际流片测试结果均表明,该HIRC具有较高的频率稳定性,满足各项设计指标。

一种改进的低功耗NAND Flash控制器设计

介绍了一种低功耗低成本Nand Flash控制器,控制器能够根据输入的命令码产生满足擦除、读写功能的时序完成相应操作。具有功耗低、面积小、电路实现简单的特点,采用中芯国际0.18μm工艺库进行DC综合验证,最高工作频率可达28.5MHz,面积仅需6805μm2。32位命令码仅用到低八位,能够有效实现抗干扰,在命令码判别方面,采用改进的判别电路,将命令码进行分块比较,将命令码分成高16位和低16位,然后再细分进行比较判断,减少了计数器和移位寄存器的使用,从而减小了面积。

将企业财务风险防控与内控体系融合的途径分析

社会的发展,企业作为其一个重要的经济支柱,起到重要的推动作用。然而,企业想要得到长足的发展,必须强化企业风险意识,通过不断完善企业内控体系来提升企业对经营风险的防控能力,优化财务管理模式,最终促使内部控制和财务风险防控有机结合,从而有效提升企业管理水平,促进企业的发展。基于此,本文先简单介绍了财务风险防控与内控体系的关系及其融合的必要性,并针对财务风险防控与内控的现状提出二者有效融合的途径。