晶体管参数ts引起的电子镇流器功率变化问题探讨

本文简要介绍了晶体管的开关特性参数 ,详尽分析了ts对电子镇流器振荡频率和线路输入功率的影响 ,讨论了ts值相差较大的晶体管在电子镇流器中应用时出现的某些问题。

晶体管封装腔内水汽含量的分析与控制

本文在对现有国军标晶体管封装腔内水汽含量检测及分析的基础上 ,提出了降低腔内水汽含量的有效办法和途径。经改进封装后的国军标晶体管 ,其腔内水汽含量从原来的 2 730 0～362 0 0PPm下降到 2 74～ 542PPm ,改善了将近两个数量级 ,大大低于GJB33A 97规定的 50 0 0PPm的标准要求。器件可靠性的提高 ,必将为广大军工用户重点国防工程 。

高频、高压晶体管设计与制造工艺研究

本文介绍了高频、高压双极型晶体管的一种设计结构和制造工艺。用该设计与工艺做出了耐压大于 2 0 0V、fT 大于 2 0

新型多元胞结构2BT100固体放电管设计与工艺

本文简要阐述了新型半导体器件 2BT10 0固体放电管的研制 ,在设计上采取了多元胞结构 ,在制作上采用了双面扩散技术 ,提供了一些工艺过程 。

双极模拟IC版图与线路图同一性验证

本文讨论了双极模拟IC的版图与线路图的同一性验证 ,即LVS :(LayoutVersusSchemat ic) ,给出了运行流程图和判别验证完成的方法 。

非光敏聚酰亚胺钝化工艺研究

本文介绍了非光敏聚酰亚胺用于双极型高压晶体管芯片制造阶段的表面钝化的工艺。该工艺的应用使晶体管生产成本有了大幅度的下降。

近场天线和高速示波器探测ESD的测量能力分析

现有用来做ESD核查和评估的计量方法是测量静电场与/或电荷。这些参数并不能直接表征ESD事件,即对能导致器件失效的机器性能做出精确评估方面,它们无能为力。电场天线和Tektronix TDS754C500Mhz示波器装置,通过辐射的电磁干扰EMI(electromagnetic interference)来检测ESD事件。为了将此建成一种计量工具,电场天线/示波器装置是通过测量能力分析MCA(measurement capabilityanalysis)的技术来表征的。一个Keytek 512激励源用来模拟带电器件模型CDM(charged device model)的ESD应力。一个球形栅阵BGA(ball grid array)芯座用作被测器件DUT(device under test)。CDM激励电压设置在200、500和800V,而电场天线放在离DUT 6英寸和12英寸远的地方。利用近场天线/示波器装置,在ESD事件检测和如何定量方面,是一次突破。时至今日,在切筋模工序,此方法已被用来作为快速鉴别ESD事件来源的一种特殊工具了。

音响用低压大电流器件功率容量研究

本文介绍了一种提高晶体管二次击穿耐量的方法 。

用于圆片级芯片尺寸封装的光敏聚合物的无氧低氟等离子去屑工艺

一种新型的无氧低氟等离子去屑工艺已开发应用于圆片级芯片尺寸封装。这种无氧去屑工艺。使用H2／N2混合气体作为主刻蚀剂，并携带微量含氟气体（CF4＜0.5%）。在H2／N2混合气体中添加CF4可加快BCB刻蚀速度。BCB刻蚀速度随温度上升而线性增加，并能在150℃至240℃的温度范围内作精确调整。已确认，对于BCB聚合物的去屑。这种无氧等离子工艺与传统的含氧离子工艺相比有着显著的优点，其中包括对二氧化硅和氮化硅上的BCB有极大的刻蚀选择率，而对铝、铜合金等金属引线无有害冲击。

OMR-85光刻胶的研究与应用

在半导体制造中 ,光刻胶是重要的原材料之一。本文从转速与膜厚、感光灵敏度、图形变化差等方面对ORM 85光刻胶进行了研究 ,得出了用于大生产的一套工艺。解决了接触式曝光方式粘版的问题及提高了产能。

Φ125mm硅抛光片成品率的控制

本文分析了化学机械抛光中影响Φ12 5mm硅抛光片成品率的原因 ,并针对各种缺陷进行工艺研究和探索 。

单片机浮点数子程序库一种错误的解决方法

在很多单片机应用程序中 ,为了满足某种要求 ,都要用到浮点数计算 ,当中间结果为零时 ,有些子程序计算结果将出现错误。