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题名EEPROM与flash Memory
被引量：1
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作者
于宗光
许居衍
魏同立
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机构
无锡华晶电子集团公司中央研究所
东南大学微电子中心
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出处
《电子器件》
CAS
1997年第1期46-49,共4页
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文摘
本文主要介绍EEPROM、flashmcmory的技术发展、单元结构.比较了EEPROM与flashmemory的优缺点与应用领域.
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关键词
EEPROM
单元结构
存储器
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Keywords
EEPROM, flash memory, cell structure
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分类号
TP333.5
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名MCBiCMOS门阵列的母片设计
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作者
唐伟
顾泰
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机构
无锡华晶电子集团公司中央研究所
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出处
《电子器件》
CAS
1997年第1期42-45,共4页
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文摘
本文介绍MCBiCMOS(合并互补BiCMOS)门阵列的母片设计技术.由于采用了先进的MCBiCMOS工艺和设计技术[1],MCBiCMOS更适合于制作高性能、大规模的专用集成电路.在2μmCMOS和3μm双极相结合的设计规则基础上,我们设计了MCBiCMOS2000门门阵列母片,并利用MCBiCMOS宏单元库,成功地完成了CGB2003(24位双向移位寄存器)等电路的自动化设计.
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关键词
门阵列
基本单元
母片
集成电路
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Keywords
Gate Array, master chip, Place & Routing, basic cell
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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