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LB膜抗蚀层在光刻中的应用
1
作者
顾宁
鲁武
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陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
刘永宽
《微电子技术》
1996年第4期23-27,共5页
本文概述了LB超薄抗蚀层用于光刻研究的历史及现状,指出:发展实用化的LB超薄抗蚀层技术对于微电子工业中深亚微米乃至纳米水平的微细加工具有重要的意义。
关键词
超薄抗蚀层
光刻
LB膜
IC
半导体器件
下载PDF
职称材料
题名
LB膜抗蚀层在光刻中的应用
1
作者
顾宁
鲁武
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
刘永宽
机构
东南大学分子与生物分子
电子
学实验室
无锡华晶电子集团公司掩模工厂
出处
《微电子技术》
1996年第4期23-27,共5页
文摘
本文概述了LB超薄抗蚀层用于光刻研究的历史及现状,指出:发展实用化的LB超薄抗蚀层技术对于微电子工业中深亚微米乃至纳米水平的微细加工具有重要的意义。
关键词
超薄抗蚀层
光刻
LB膜
IC
半导体器件
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LB膜抗蚀层在光刻中的应用
顾宁
鲁武
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
刘永宽
《微电子技术》
1996
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