无锡华润燃气的0HSAS体系顺利通过审核认证

我公司的职业健康安全管理体系（简称OHSAS体系）经过近一年的宣传贯彻、优化梳理、运行整改，于2008年11月4日一次性通过了北京中环联合认证中心的审核认证。目前，我公司建立的0HSAS体系包含50个安全管理流程和45个操作规程，是规范公司安全管理工作的“根本大法”。

推陈出新保满意 多管齐下铸品牌——无锡华润燃气公司提升企业美誉度的实践与探索

导言 服务业特别是市政公用系统始终处于舆论“压力”之下：一方面，背负垄断之名，又承担民生责任，任何一次闪失，均有可能被放大影响。另一方面，本是同方向的企业和社会利益直线却被想当然地定位为反方向。因此，脆弱的社会关系需要实实在在的弥合和固化。就此而言，无锡华润燃气有限公司秉承“客户至上”宗旨，从客户满意角度全面调整营销、管理和服务策略，其初步的实践和探索具有一定的推广意义。

我是怎样加强外来施工安全管理的？——无锡华润微电子动力系统工程公司的几点做法

由于生产需要，经常有外单位来我公司施工作业，他们承担着电焊、油漆、土建，罐（槽）内清污等工作。归纳起来，外来施工有以下特点：

基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究

为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor,LDMOS)设计的重点和难点.本文介绍了一种基于高温氧化层(High Temperature Oxidation layer,HTO)结构的LDMOS,并对其热载流子注入退化机制进行了研究分析,利用高温氧化层结构改善了传统浅槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)结构中氧化物台阶嵌入半导体内部对器件热载流子注入造成的不利影响,提高器件可靠性,同时还缩短了器件导通情况下的电流路径长度,降低损耗.此外本文还提出了对P型体区的工艺优化方法,利用多晶硅作为高能量离子注入的掩蔽层,改善阱邻近效应对器件鲁棒性的影响,同时形成更深的冶金结,可以辅助漂移区杂质离子耗尽,降低漂移区表面电场,在不需要额外增加版次的情况下提高了器件击穿电压.最终得到的基于HTO结构的LDMOS击穿电压为43 V,比导通电阻为9.5 mΩ·mm^(2),线性区电流在10000 s之后的退化量仅为0.87%.

薄膜材料弯曲测试方法的验证研究

在国家标准《微机电系统(MEMS)技术薄膜材料的弯曲试验方法》制定阶段,为验证该标准中测试方法的准确性和实用性,设计并制备了4种尺寸的悬臂梁结构,并利用纳米力学测试系统记录其弯曲形变过程,获取了待测结构的形变-应力曲线。通过该标准可实现薄膜材料弯曲力学性能的有效表征。对弯曲试验的测量数据进行分析,实验结果表明,基于该测试方法10次的重复性达到0.32%,同类型的测试结构具有较强的规律性,靠近悬臂梁根部的测试点表现出更高的机械刚度,与理论预测完全一致。因此,该标准中所采用的弯曲测试方法可重复性好,可用于薄膜材料的弯曲力学性能测试。

一种p-GaN HEMTs栅电荷表征方法

与Si基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的绝缘栅结构不同,p-GaN增强型高电子迁移率晶体管(HEMTs)的栅极结构为pn结,其在较大正向电压下处于导通状态,漏电导较大。传统栅电荷测试方法假设栅极注入电流全部存储为栅电荷,因此不适用于p-GaN HEMTs器件,否则会严重高估数值。鉴于此,基于栅电荷积累的基本过程,提出了利用动态电容法来减小漏电流影响来提取p-GaN E-HEMT的栅电荷参数。结果表明,该方法能够得到更理想的栅电荷米勒平台和特性曲线,结果更符合实际,具有重要的应用价值。

RPA技术在半导体智能制造系统中的设计应用

机器人流程自动化技术多应用于财务、金融、人力资源及银行等行业。本文介绍了RPA技术在半导体制造业中的系统设计应用,结合OCR技术、KVM技术,搭载RCM远程控制平台实现了老旧机台的自动化改造升级,节省了人力,大大减少了出错率,已成功用于某半导体企业6英寸产线使用中,取得了良好的经济效益。

敏感器件封装成品率提高案例研究

随着器件沟道尺寸的减小,为了获得更好的性能参数,器件工艺窗口变得越来越窄。与此同时,单MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)封装缺少静电保护电路。对于敏感器件的封装,异常的电气参数时有出现。通过使用FMEA(failure mode and effects analysts)和DOE(design of experiments)等质量工具,确认该问题与封装键合顺序和黏合剂有关。通过调整键合顺序和更换所使用的黏合剂,有效地解决了敏感器件封装低良的问题。该案例为同行业提供了借鉴。

低功耗非易失性存储器存储单元及存储芯片架构

基于传统的0.18um单栅Logic CMOS工艺实现超低功耗非易失性存储器芯片的设计与验证,该存储芯片采用差分结构单元,无需增加光罩,利用双向的F-N隧穿原理进行编程擦除机理,可实现EEPROM功能。最终的测试结果显示该芯片具有超低的待机、编程和读取功耗,读取速度最高达100MHz,Cycling可达100K,且具有非常优秀的数据保持能力,非常适用于低成本低功耗的应用场景。

M1DCNN模型在燃气调压器故障诊断的应用

燃气调压器的健康状况直接关系到燃气输配系统的稳定和安全运行,针对调压器的故障识别,需要大量的专家经验,且给燃气企业带来较大的运维成本。本文提出一种基于多尺度一维卷积神经网络(M1DCNN)的燃气调压器故障诊断模型,该模型在一维卷积神经网络的基础上,构建多个不同尺寸卷积核和池化层的通道,分别提取调压器出口压力数据特征信息并进行处理,最后进行特征融合,输出诊断故障类别。实验结果表明,M1DCNN模型能更全面的提取故障特征,有效进行故障识别,实现调压器智能故障诊断。

自举二极管的集成开发

IPM 即智能功率模块,其内部以IGBT或MOS作为功率开关,集成高压栅驱动电路,相比于分离方案,IPM既可以极大地缩小PCB尺寸,同时又能良好地保证系统的可靠性和稳定性,目前已经成为白色家电变频控制的理想功能单元。目前IPM的供应基本被国外厂商垄断,即使像国内头部家电企业自建IPM生产线,实际也是采用进口的器件和相对落后的封装技术实现。

无锡天然气管网的加湿输送技术与效果

文章阐述了旧燃气管网改造时因天然气与人工煤气在组分、输送材料方面的不同所导致的问题,说明了天然气加湿的技术工艺和加湿剂的作用。介绍了无锡在部分旧管网输送天然气时的加湿流程,根据接头泄漏数量的统计,说明了天然气加湿技术的有效性。

无锡地下燃气管网泄漏成因及措施——从管网运行数据分析角度探讨

随着城市燃气地下管网的长度和运行时间的不断增加,燃气管道泄漏的数量与风险也在同步提高。文章对无锡华润燃气有限公司云抢修平台中的相关数据进行了分析,并根据分析结果,对影响地下管网泄漏的本质原因提出了相应的应对措施,以便更好地控制燃气泄漏风险,避免燃气事故的发生,保障市民的安全用气。

华润微电子5C价值型财务管理探讨

华润微电子是华润集团下属的从事集成电路研发、生产的高科技企业。本文从华润集团5C价值型管理体系出发,结合华润微电子行业和企业特点,对华润微电子价值型财务管理模式提出针对性的改进建议,进一步提升财务管理在价值创造过程中的重要性。

无锡CNG加气站推广工程实践

文章从经济、技术、环保、发展前景等多个角度对无锡正在积极推行的CNG加气站建设的工程实践进行介绍,为其它城市建设CNG加气站提供参考。

Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金对Al-7Si合金微观组织和力学性能的影响

通过真空电弧熔炼炉制备Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金,利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针显微分析仪(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、差热分析仪(DSC)和万能材料试验机,研究不同添加量(0.3%,0.5%,0.7%,0.9%和1.3%,质量分数,下同)Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金对Al-7Si合金微观组织和性能的影响。结果表明:随着Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti合金添加量的增加,Al-7Si合金中初生α-Al和共晶Si组织被显著细化。与未添加Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金相比,当Al-7Si合金中添加0.9%Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金后,初生α-Al晶粒尺寸从218μm减小到80μm,二次枝晶间距从25μm减小到9.3μm;共晶Si组织由粗大的针片状细化为短片状和短棒状,平均长度和宽度分别从34.8μm和4μm减小到11.6μm和1.7μm;合金的抗拉强度和伸长率分别达到184 MPa和9.3%,与未变质合金的力学性能(162 MPa和3%)相比分别提高了13.6%和210%,断裂模式由韧脆混合断裂模式转变为韧性断裂。然而,当Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti合金的添加量增加到1.3%时,发生过变质现象,导致Al-7Si合金组织粗化,力学性能下降。

超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究

本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的源极多晶硅以及栅极右侧的厚氧化层,将传统集成型功率器件的一维耐压拓宽为二维耐压,包括横向耐压与纵向耐压两个方向.其中,纵向耐压不占用横向元胞尺寸,进而在相同耐压水平上,使TG-LDMOS具有分立功率器件耐压效率高、导通电阻低的特点.本结构通过仿真优化做到了击穿电压(VB)为52 V,特征导通电阻(Ron,sp)为10 mΩ·mm^(2).结果表明,TG-LDMOS突破了硅器件的极限关系,与硅极限相比特征导通电阻降低了48%.

具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS

提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理,使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部剧烈的衬底辅助耗尽效应,提升器件的耐压性能;同时,器件正向导通状态下,对电流的传输路径也没有形成阻碍,能够维持较低的比导通电阻。流片结果表明,在漂移区长度均为65μm的情况下,SETR LDMOS的击穿电压能达到813 V,比传统TR LDMOS的击穿电压高51 V,且比导通电阻维持在7.3Ω·mm^(2)。

基于XGB-LSTM模型的燃气日负荷预测

燃气日负荷预测是优化气源采购、调节供需平衡、提升燃气企业经营效率的重要手段。燃气日负荷受多种因素共同影响,具有时序特征和非线性特征。本文提出一种融合XGBoost和LSTM模型的燃气日负荷预测方法XGB-LSTM。该方法通过XGBoost的特征选择方法,对燃气日负荷影响因素进行特征提取和排序,去除不相关特征,降低模型复杂度;随后利用LSTM网络进行预测,以提高预测精度。以华东W市日负荷数据进行分析,实验结果表明,与其他深度学习方法相比,XGB-LSTM模型提高了预测精度,同时减小了模型的复杂度,获得了更好的预测效果。