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一种K波段高性能正交五倍频器
1
作者
汤思达
蔡孟冶
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期648-653,共6页
基于90 nm CMOS工艺制作了一种K波段高性能五倍频器。该五倍频器电路由正交再生分频器、单平衡混频器和三倍频器级联组成。使用电流可再生技术设计了正交再生分频器,有效降低了系统的整体功耗,使用吉尔伯特混频器电路结构提高了转换增...
基于90 nm CMOS工艺制作了一种K波段高性能五倍频器。该五倍频器电路由正交再生分频器、单平衡混频器和三倍频器级联组成。使用电流可再生技术设计了正交再生分频器,有效降低了系统的整体功耗,使用吉尔伯特混频器电路结构提高了转换增益。整体电路具有正交输入/输出、输出功率高、谐波抑制度高的优点。测试结果表明,该五倍频器的-3 dB频率范围为24~26.2 GHz,在输入功率为3.9 dBm时,转换增益为-3.34 dB。输出信号的最大相位误差为2.398°,直流功耗为14.83 mW,芯片面积约为0.99 mm^(2)。
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关键词
CMOS
五倍频器
K波段
谐波抑制
正交输入/输出
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职称材料
题名
一种K波段高性能正交五倍频器
1
作者
汤思达
蔡孟冶
机构
无锡学院电子信息工程学院电子科学与微电子工程系
江南大学物联网
工程
学院
电子
工程
系
先进技术研究院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期648-653,共6页
基金
江苏省自然科学基金资助项目(BK20210453)
无锡学院科学研究资助项目(2022R016)。
文摘
基于90 nm CMOS工艺制作了一种K波段高性能五倍频器。该五倍频器电路由正交再生分频器、单平衡混频器和三倍频器级联组成。使用电流可再生技术设计了正交再生分频器,有效降低了系统的整体功耗,使用吉尔伯特混频器电路结构提高了转换增益。整体电路具有正交输入/输出、输出功率高、谐波抑制度高的优点。测试结果表明,该五倍频器的-3 dB频率范围为24~26.2 GHz,在输入功率为3.9 dBm时,转换增益为-3.34 dB。输出信号的最大相位误差为2.398°,直流功耗为14.83 mW,芯片面积约为0.99 mm^(2)。
关键词
CMOS
五倍频器
K波段
谐波抑制
正交输入/输出
Keywords
CMOS
frequency quintupler
K-band
harmonic suppression
quadrature input/out-put
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
TN4322 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种K波段高性能正交五倍频器
汤思达
蔡孟冶
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
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职称材料
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