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部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应 被引量:3
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作者 彭力 洪根深 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期597-599,611,共4页
介绍了部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果。
关键词 SOI MOSFET 浮体效应 KINK效应
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