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部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应
被引量:
3
1
作者
彭力
洪根深
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期597-599,611,共4页
介绍了部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果。
关键词
SOI
MOSFET
浮体效应
KINK效应
下载PDF
职称材料
题名
部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应
被引量:
3
1
作者
彭力
洪根深
机构
无锡微电子科研中心ic工艺实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期597-599,611,共4页
文摘
介绍了部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果。
关键词
SOI
MOSFET
浮体效应
KINK效应
Keywords
SOI
MOSFET
Floating body effect
Kink effect
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应
彭力
洪根深
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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