期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制
被引量:
4
1
作者
王玮
蔡勇
+2 位作者
张宝顺
黄伟
李海鸥
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期219-224,共6页
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°~83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为Ga...
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°~83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。
展开更多
关键词
电感耦合等离子体
刻蚀
氮化镓
侧壁倾角
射频功率
下载PDF
职称材料
新一代GaN基DC/DC Buck电源模块测试与分析
被引量:
1
2
作者
孙海涛
胡南中
+2 位作者
黄伟
李海鸥
于宗光
《电子与封装》
2014年第2期16-19,共4页
文中对宜普电源转换公司(EPC)Buck转换器EPC9107进行参数测试与分析。测试结果表明,当EPC9107电源模块工作于开关频率1000 kHz、宽幅输入电压12-28 V时,输出电压恒定3.3 V,输出电流约为0-16 A,效率最高约为96.1%,功率密度约为14 W...
文中对宜普电源转换公司(EPC)Buck转换器EPC9107进行参数测试与分析。测试结果表明,当EPC9107电源模块工作于开关频率1000 kHz、宽幅输入电压12-28 V时,输出电压恒定3.3 V,输出电流约为0-16 A,效率最高约为96.1%,功率密度约为14 W·cm^-3,转换时间小于4 ns,具有良好的抗干扰度和瞬态响应,纹波小于20 mV。该模块的整体性能均优于当前硅基DC/DC电源模块。
展开更多
关键词
GaN功率芯片
DC
DC电源模块
非隔离负载点变换器
下载PDF
职称材料
题名
ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制
被引量:
4
1
作者
王玮
蔡勇
张宝顺
黄伟
李海鸥
机构
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院半导体研究所
中国科学院研究生院
无锡晶凯科技有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期219-224,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(10990102)
江苏省自然科学基金资助项目(BK2011173)
文摘
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°~83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。
关键词
电感耦合等离子体
刻蚀
氮化镓
侧壁倾角
射频功率
Keywords
ICP
etch
GaN
sidewall slope
RF power
分类号
O47 [理学—半导体物理]
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
新一代GaN基DC/DC Buck电源模块测试与分析
被引量:
1
2
作者
孙海涛
胡南中
黄伟
李海鸥
于宗光
机构
无锡晶凯科技有限公司
中国电子
科技
集团
公司
第
出处
《电子与封装》
2014年第2期16-19,共4页
文摘
文中对宜普电源转换公司(EPC)Buck转换器EPC9107进行参数测试与分析。测试结果表明,当EPC9107电源模块工作于开关频率1000 kHz、宽幅输入电压12-28 V时,输出电压恒定3.3 V,输出电流约为0-16 A,效率最高约为96.1%,功率密度约为14 W·cm^-3,转换时间小于4 ns,具有良好的抗干扰度和瞬态响应,纹波小于20 mV。该模块的整体性能均优于当前硅基DC/DC电源模块。
关键词
GaN功率芯片
DC
DC电源模块
非隔离负载点变换器
Keywords
GaN power chip
DC/DC power supply
point of load (POL)
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制
王玮
蔡勇
张宝顺
黄伟
李海鸥
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
下载PDF
职称材料
2
新一代GaN基DC/DC Buck电源模块测试与分析
孙海涛
胡南中
黄伟
李海鸥
于宗光
《电子与封装》
2014
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部