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SiH_4紫外多光子电离的分质量光谱
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作者 刁培谦 陆庆正 +2 位作者 马兴孝 孔繁敖 松为宏幸 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1991年第2期116-123,共8页
本文首次报道SiH_4在紫外区多光子电离的分质量光谱。没有检测到SiH_4^+;SiH-2^+和SiH_3^+是主要产物、SiH^+很少。与同步辐射的实验结果相比,SiH_2^+/SiH_3^+的比例相近,但Si^+明显增强。在358-367nm,各碎片离子光谱有大体一致的形状;... 本文首次报道SiH_4在紫外区多光子电离的分质量光谱。没有检测到SiH_4^+;SiH-2^+和SiH_3^+是主要产物、SiH^+很少。与同步辐射的实验结果相比,SiH_2^+/SiH_3^+的比例相近,但Si^+明显增强。在358-367nm,各碎片离子光谱有大体一致的形状;在377-393nm,Si^+光谱中有多出来的谱带。分析表明较多Si^+可能来自SiH_n^+的后续解离过程。 展开更多
关键词 SIH4 紫外区 MPI 分质量光谱
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