等离子体处理装置和高频电力供给装置

本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理的容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配：以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，

微波等离子体处理装置、等离子体处理方法以及微波发射部件

在处理容器的内部，设有装载台，用来装载半导体晶片(W)。微波发生器产生微波，通过平面天线部件导入到处理容器内。平面天线部件具有沿若干圆周排列的若干贯通孔，

薄膜形成装置的洗净方法

热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。

等离子体装置及等离子体生成方法

一种等离子体装置，包括将通过馈电部供给的高频电磁场（F）供给到处理容器内的缝隙天线，所述馈电部具有谐振腔，所述谐振腔构成谐振器，同时将馈电的高频电磁场（F）变换成旋转电磁场并供给所述缝隙天线。