中红外量子级联激光器的研究进展

以不同结构类型的有源区为主线,如三阱垂直跃迁有源区、超晶格有源区、应变补偿量子阱有源区、束缚-连续跃迁有源区和四阱双声子共振有源区等,介绍了半导体能带工程在量子级联激光器中的应用。以不同技术指标和特性参数为主要内容,如激射波长、阈值电流密度、工作温度和输出功率等,评述了量子级联激光器在近3～5年内的研究进展。提出了进一步改善器件性能的可能途径,并指出了其今后研究的新方向。

纳米量子器件研究的若干前沿问题

纳米量子器件是目前纳米物理学与纳米电子学领域中最重要的研究方向 .人们预测 ,该领域中的任何一项具有实质意义的突破性进展 ,都极有可能在全球范围内触发一场新的信息技术革命 .所谓纳米量子器件 ,是指基于各种量子力学现象 ,如量子尺寸效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应、光学非线性效应以及量子信息处理等设计并制作的固态纳米电子器件、光电子器件、集成电路乃至量子计算机等 .本文将着重介绍目前纳米量子器件研究中的若干活跃前沿以及我们应采取的对策 .

Mg2Si基热电材料的性能优化研究及其进展

Mg_2Si基半导体是重要的中温热电材料,具有原料丰富、价格低、无毒等优点;其载流子有效质量和迁移率均较高,有望获得优异的电性能,近年来倍受关注。该文综述了Mg_2Si基材料的研究进展,重点探讨了提高其热电性能的措施,对比了不同制备方法的优缺点,最后指出了今后的研究方向。分析表明,目前研究主要集中在n型体系,应加强对p型材料的性能优化探索。掺杂对提高热电性能的效果更显著,通过制备工艺的优化,将掺杂和纳米化两种措施结合,可进一步有效优化。

基于小波分析的表面活性剂减阻流体二维流场流动特性研究

该文采用粒子图像测速仪对矩形槽道内减阻流体二维流场进行测量,采用小波分析方法将流场分解为平均速度场与7个不同尺度的脉动场。结果显示减阻流体横向速度脉动几乎被完全抑制,流向速度脉动略低于水,但从波数为2开始小尺度脉动被明显削弱。减阻流体流向速度脉动呈条带分布,同流向基本平行,并且具有较大尺度,统计结果曲线也在相应位置出现局部大值,显示高脉动层存在的普遍性。

自组织生长纳米半导体量子点的研究进展

纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性 ,正在成为量子功能器件研究中的一个热点领域 .作为纳米量子点的制备方法 ,自组织生长技术正在受到人们的普遍重视 .而如何实现具有尺寸与密度可控纳米量子点的自组织生长 ,更为材料物理学家所广泛关注 .因为这是由自组织方法形成的纳米量子点最终能否实现器件实用化的关键 .本文将以纳米量子点→自组织生长→形成机理→尺寸与密度可控为主线 ,简要介绍近 1 0年来纳米量子点自组织生长技术的研究进展 .

补偿掺杂i层对n-ZnO/i-ZnO/p-Si薄膜太阳能电池性能影响的模拟研究

提出一种新型n-ZnO/i-ZnO/p-Si太阳能电池结构,使用AMPS软件对该结构太阳能电池进行了模拟研究,探索H,N杂质补偿掺杂形成本征i层对该结构太阳能电池的影响。研究发现在掺杂浓度为H=1.7×1017,N=2.8×1017时太阳能电池的转换效率可达15%,并对其转换机理进行了研究。

界面态对ZnO/AlSb太阳能电池性能影响的模拟研究

运用AMPS软件对n-ZnO/i-AlSb/p-AlSb异质结太阳能电池的性能进行模拟,针对n/i异质结界面态对电池填充因子和转换效率的影响进行研究。结果表明,随着界面态密度增大,电池的填充因子和转换效率迅速下降,具体表现为界面态密度的增加促进光生载流子的复合从而电池并联电阻减小,最终导致电池的转换效率降低。

酞菁锡（SnPc）多晶薄膜的光电压特性研究

报道了Ａｌ／α－ＳｎＰｃ／ＩＴＯ夹心结构的瞬态光电压随入射光强度和波长变化的演变特性和稳态连续光照射下的光电压作用光谱。稳态光电压作用光谱和其对应吸收光谱的变化趋势非常接近；而瞬态光电压的大小、极性和响应时间则共同取决于入射光的强度和波长。其中瞬态光电压的正峰部分（相对于ＩＴＯ电极）只在较强的光照射下才出现，而且其响应时间也总是慢于同一条件下出现的负电压峰。文中对该现象的内在机制作了初步的探讨。