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用超高真空扫描隧道显微镜UHV—STM研究多晶铌和单晶铌的表面结构
1
作者
李艳宁
安白
+3 位作者
福山诚司
横川清志
吉村雅满
胡小唐
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期429-433,共5页
作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪 (AugerElectronSpectroscopy(AES) )研究了多晶铌和Nb(0 0 1)。实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热。经过重结晶后 ,在多晶铌和Nb(0 0 1)表面形成了...
作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪 (AugerElectronSpectroscopy(AES) )研究了多晶铌和Nb(0 0 1)。实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热。经过重结晶后 ,在多晶铌和Nb(0 0 1)表面形成了特征性的表面超结构。在多晶铌表面 ,作者观测到了 (110 )和 (10 0 )面 ,在 (10 0 )面上形成的是 (n× 1)超结构 ,而在 (110 )面上形成的是 0 2 8nm× 0 4 0nm的周期性超结构。在Nb(0 0 1)表面作者观测到C(2× 2 )的典型结构。AES实验表明 ,不纯物“氧”仍然以氧化物的形式存在于单晶和多晶铌样品中。基于这些实验结果 ,结合铌的微观晶格结构 ,作者给出了所观测到的超结构的合理的解释 。
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关键词
多晶铌
单晶铌
扫描隧道显微镜
STM
俄歇谱仪
AES
超高真空
UHV
铌
Nb
表面超结构
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职称材料
采用高Bs纳米晶合金组装的叠层磁块磁芯的软磁特性
2
作者
Atsushi Yao
Masaki Inoue
+1 位作者
Kouhei Tsukada
Keisuke Fujisaki
《磁性元件与电源》
2018年第9期149-152,共4页
本文重点研究了在高磁通密度区域采用高Bs纳米晶合金组装的叠层磁块(block)磁芯的磁芯损耗。为了讨论高Bs块体磁芯的软磁特性,还进行了与非晶(SA1)块体磁芯的比较。在高Bs块体磁芯中,低磁芯损耗和高饱和磁通密度Bs在低频区域部得...
本文重点研究了在高磁通密度区域采用高Bs纳米晶合金组装的叠层磁块(block)磁芯的磁芯损耗。为了讨论高Bs块体磁芯的软磁特性,还进行了与非晶(SA1)块体磁芯的比较。在高Bs块体磁芯中,低磁芯损耗和高饱和磁通密度Bs在低频区域部得到满足。此外,在由高Bs合金制成的叠层块体磁芯中,作为磁通密度的函数的磁损增加率保持很小,达到约1.6T,这在传统的基于非晶合金的叠层块体磁芯中是无法实现的。由高Bs合金制成的块体磁芯在高频区域表现出与非晶合金芯相当的磁损。因此,预期该叠层高Bs块体磁芯可以在高频区域中实现低磁芯损耗和高饱和磁通密度。
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关键词
纳米晶合金
磁芯损耗
软磁特性
高BS
叠层
磁块
组装
饱和磁通密度
原文传递
题名
用超高真空扫描隧道显微镜UHV—STM研究多晶铌和单晶铌的表面结构
1
作者
李艳宁
安白
福山诚司
横川清志
吉村雅满
胡小唐
机构
天津
大学
精仪学院精密测试技术及仪器国家重点实验室
日本
通商产业省
工业
技术院中国
工业
技术所
日本丰田工业大学
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期429-433,共5页
文摘
作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪 (AugerElectronSpectroscopy(AES) )研究了多晶铌和Nb(0 0 1)。实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热。经过重结晶后 ,在多晶铌和Nb(0 0 1)表面形成了特征性的表面超结构。在多晶铌表面 ,作者观测到了 (110 )和 (10 0 )面 ,在 (10 0 )面上形成的是 (n× 1)超结构 ,而在 (110 )面上形成的是 0 2 8nm× 0 4 0nm的周期性超结构。在Nb(0 0 1)表面作者观测到C(2× 2 )的典型结构。AES实验表明 ,不纯物“氧”仍然以氧化物的形式存在于单晶和多晶铌样品中。基于这些实验结果 ,结合铌的微观晶格结构 ,作者给出了所观测到的超结构的合理的解释 。
关键词
多晶铌
单晶铌
扫描隧道显微镜
STM
俄歇谱仪
AES
超高真空
UHV
铌
Nb
表面超结构
Keywords
scanning tunneling microscope (STM)
Auger electron spectroscopy (AES)
ultra high vacuum (UHV)
niobium (Nb)
surface superstructure
分类号
TG115.3 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
采用高Bs纳米晶合金组装的叠层磁块磁芯的软磁特性
2
作者
Atsushi Yao
Masaki Inoue
Kouhei Tsukada
Keisuke Fujisaki
机构
日本丰田工业大学
日立金属株式会社
出处
《磁性元件与电源》
2018年第9期149-152,共4页
文摘
本文重点研究了在高磁通密度区域采用高Bs纳米晶合金组装的叠层磁块(block)磁芯的磁芯损耗。为了讨论高Bs块体磁芯的软磁特性,还进行了与非晶(SA1)块体磁芯的比较。在高Bs块体磁芯中,低磁芯损耗和高饱和磁通密度Bs在低频区域部得到满足。此外,在由高Bs合金制成的叠层块体磁芯中,作为磁通密度的函数的磁损增加率保持很小,达到约1.6T,这在传统的基于非晶合金的叠层块体磁芯中是无法实现的。由高Bs合金制成的块体磁芯在高频区域表现出与非晶合金芯相当的磁损。因此,预期该叠层高Bs块体磁芯可以在高频区域中实现低磁芯损耗和高饱和磁通密度。
关键词
纳米晶合金
磁芯损耗
软磁特性
高BS
叠层
磁块
组装
饱和磁通密度
分类号
TN606 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用超高真空扫描隧道显微镜UHV—STM研究多晶铌和单晶铌的表面结构
李艳宁
安白
福山诚司
横川清志
吉村雅满
胡小唐
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
2
采用高Bs纳米晶合金组装的叠层磁块磁芯的软磁特性
Atsushi Yao
Masaki Inoue
Kouhei Tsukada
Keisuke Fujisaki
《磁性元件与电源》
2018
0
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
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