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利用原子力显微镜改变P(VDF/TrFE)聚合物分子链偶极子极性实现数据存储的读/写/擦除/改写
被引量:
1
1
作者
EL-HAMI K
MATSUSHIGE K
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2004年第4期299-301,共3页
包括读、写、擦除和改写等信息存储现象的产生是由于在外加电压的作用下,铁电体“聚偏二氟乙烯 三氟胸苷”异分子聚合物的分子链偶极子的极性发生了变化.为达此目的,使原子力显微镜工作在压电响应模式下,它比传统的数据存储方法要有优势...
包括读、写、擦除和改写等信息存储现象的产生是由于在外加电压的作用下,铁电体“聚偏二氟乙烯 三氟胸苷”异分子聚合物的分子链偶极子的极性发生了变化.为达此目的,使原子力显微镜工作在压电响应模式下,它比传统的数据存储方法要有优势.将20nm厚的“聚偏二氟乙烯 三氟胸苷”薄膜放置于原子力显微镜的导电悬臂梁触针和石墨基片之间,直流电通过AFM触针在几微秒的时间内极化铁电畴,同时用交流电来辨识这些纳米尺度 (约60nm)的铁电畴,这些铁电畴的尺寸由外加电压的大小和持续时间等参数来决定,可以实现约19.2Gb/cm2 (120Gb/in2)的数据存储.
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关键词
铁电畴
极性
原子力显微镜
偶极子
分子链
聚合物
薄膜
数据存储
B/C
改写
下载PDF
职称材料
题名
利用原子力显微镜改变P(VDF/TrFE)聚合物分子链偶极子极性实现数据存储的读/写/擦除/改写
被引量:
1
1
作者
EL-HAMI K
MATSUSHIGE K
机构
日本京都大学电子科学与工程系
出处
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2004年第4期299-301,共3页
文摘
包括读、写、擦除和改写等信息存储现象的产生是由于在外加电压的作用下,铁电体“聚偏二氟乙烯 三氟胸苷”异分子聚合物的分子链偶极子的极性发生了变化.为达此目的,使原子力显微镜工作在压电响应模式下,它比传统的数据存储方法要有优势.将20nm厚的“聚偏二氟乙烯 三氟胸苷”薄膜放置于原子力显微镜的导电悬臂梁触针和石墨基片之间,直流电通过AFM触针在几微秒的时间内极化铁电畴,同时用交流电来辨识这些纳米尺度 (约60nm)的铁电畴,这些铁电畴的尺寸由外加电压的大小和持续时间等参数来决定,可以实现约19.2Gb/cm2 (120Gb/in2)的数据存储.
关键词
铁电畴
极性
原子力显微镜
偶极子
分子链
聚合物
薄膜
数据存储
B/C
改写
Keywords
P(VDF/TrFE)copolymer
piezoresponse
da ta storage
polarization
分类号
TH742 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用原子力显微镜改变P(VDF/TrFE)聚合物分子链偶极子极性实现数据存储的读/写/擦除/改写
EL-HAMI K
MATSUSHIGE K
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2004
1
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职称材料
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