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利用原子力显微镜改变P(VDF/TrFE)聚合物分子链偶极子极性实现数据存储的读/写/擦除/改写 被引量:1
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作者 EL-HAMI K MATSUSHIGE K 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2004年第4期299-301,共3页
包括读、写、擦除和改写等信息存储现象的产生是由于在外加电压的作用下,铁电体“聚偏二氟乙烯 三氟胸苷”异分子聚合物的分子链偶极子的极性发生了变化.为达此目的,使原子力显微镜工作在压电响应模式下,它比传统的数据存储方法要有优势... 包括读、写、擦除和改写等信息存储现象的产生是由于在外加电压的作用下,铁电体“聚偏二氟乙烯 三氟胸苷”异分子聚合物的分子链偶极子的极性发生了变化.为达此目的,使原子力显微镜工作在压电响应模式下,它比传统的数据存储方法要有优势.将20nm厚的“聚偏二氟乙烯 三氟胸苷”薄膜放置于原子力显微镜的导电悬臂梁触针和石墨基片之间,直流电通过AFM触针在几微秒的时间内极化铁电畴,同时用交流电来辨识这些纳米尺度 (约60nm)的铁电畴,这些铁电畴的尺寸由外加电压的大小和持续时间等参数来决定,可以实现约19.2Gb/cm2 (120Gb/in2)的数据存储. 展开更多
关键词 铁电畴 极性 原子力显微镜 偶极子 分子链 聚合物 薄膜 数据存储 B/C 改写
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