CO_2离化团束辐照Si表面形成SiO_2膜的分析

由CO2离化团束辐照Si表面形成的氧化层的厚度与CO2团束大小及团束能量相关，而其成分接近SiO2在低辐照剂量下，氧化层增厚服从反应规律，而在高剂量下服从扩散规律．

CO_2离化团束对Si基板表面的辐照效应

利用RBS和椭圆仪分析对CO2离化团束引起的硅表面的损伤进行了研究．实验发现，采用大尺寸团束照射，损伤程度小而且损伤层薄；团束尺寸越大，越容易形成低损伤的氧化层；随剂量增大，损伤部分发生氧化的比例增加，而且在单晶Si基板上经过极薄的过渡区形成氧化层．

CO_2团束的离化、加速及质量分离

设计并制造了ＣＯ２离化装置——由电子轰击对团束进行离化，由电极电位进行加速，由阻止势进行质量分离。通过实验确定了最佳参数，其中包括：离化电子电流和电压、加速电压、阻止电势、供气压力等。

超音速自由喷流形成CO2团束

设计并制造了喷咀——分流器系统以产生气体团束。为搞清气体团束的产生过程，进行了流体力学分析。