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钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理 被引量:5
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作者 李标荣 陈万平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第3期1-2,6,共3页
化学镀镍过程对PTCR及MLCC等元件的电性能,往往会产生负面效应,其中氢离子引起的还原作用不可忽视,其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。
关键词 PTC陶瓷 晶界势垒 化学镀镍 PTCR MLCC
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MLCC之绝缘低压失效机理 被引量:5
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作者 李标荣 陈万平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第4期32-33,40,共3页
在长期低压直流电场作用下,含钛陶瓷MLCC之绝缘电阻会逐渐变小,介质损耗增加,直到超出容许极限而失效。通过微观导电机理分析,探明这主要是钛-氧八面体中氧缺位之迁移、空间电荷积累以及潮湿环境作用所致。
关键词 MLCC 绝缘电阻 低压失效 多层瓷介电容器
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