期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理
被引量:
5
1
作者
李标荣
陈万平
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第3期1-2,6,共3页
化学镀镍过程对PTCR及MLCC等元件的电性能,往往会产生负面效应,其中氢离子引起的还原作用不可忽视,其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。
关键词
PTC陶瓷
晶界势垒
化学镀镍
PTCR
MLCC
下载PDF
职称材料
MLCC之绝缘低压失效机理
被引量:
5
2
作者
李标荣
陈万平
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第4期32-33,40,共3页
在长期低压直流电场作用下,含钛陶瓷MLCC之绝缘电阻会逐渐变小,介质损耗增加,直到超出容许极限而失效。通过微观导电机理分析,探明这主要是钛-氧八面体中氧缺位之迁移、空间电荷积累以及潮湿环境作用所致。
关键词
MLCC
绝缘电阻
低压失效
多层瓷介电容器
下载PDF
职称材料
题名
钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理
被引量:
5
1
作者
李标荣
陈万平
机构
东莞南方电子有限公司
日本仙台东北大学金属材料研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第3期1-2,6,共3页
文摘
化学镀镍过程对PTCR及MLCC等元件的电性能,往往会产生负面效应,其中氢离子引起的还原作用不可忽视,其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。
关键词
PTC陶瓷
晶界势垒
化学镀镍
PTCR
MLCC
Keywords
PTC ceramics, grain boundary barrier, Ni electroless plating
分类号
TN373 [电子电信—物理电子学]
TM534.1 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
MLCC之绝缘低压失效机理
被引量:
5
2
作者
李标荣
陈万平
机构
东莞南方电子有限公司
日本仙台东北大学金属材料研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999年第4期32-33,40,共3页
文摘
在长期低压直流电场作用下,含钛陶瓷MLCC之绝缘电阻会逐渐变小,介质损耗增加,直到超出容许极限而失效。通过微观导电机理分析,探明这主要是钛-氧八面体中氧缺位之迁移、空间电荷积累以及潮湿环境作用所致。
关键词
MLCC
绝缘电阻
低压失效
多层瓷介电容器
分类号
TM534.101 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理
李标荣
陈万平
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999
5
下载PDF
职称材料
2
MLCC之绝缘低压失效机理
李标荣
陈万平
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1999
5
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部