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微波方法制备(100)晶面取向的金刚石薄膜
被引量:
2
1
作者
顾长志
金曾孙
+3 位作者
吕宪义
邹广田
坂本幸弘
高谷松文
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期647-651,共5页
采用MWPCVD制备金刚石膜的方法 ,以甲烷和一氧化碳为碳源气体 ,在适当的衬底温度与反应气体配比条件下 ,通过使衬底匀速转动 ,合成出具有 (10 0 )晶面取向的均匀生长的金刚石薄膜 ,在优化的工艺条件下这种定向金刚石膜的生长与单晶硅衬...
采用MWPCVD制备金刚石膜的方法 ,以甲烷和一氧化碳为碳源气体 ,在适当的衬底温度与反应气体配比条件下 ,通过使衬底匀速转动 ,合成出具有 (10 0 )晶面取向的均匀生长的金刚石薄膜 ,在优化的工艺条件下这种定向金刚石膜的生长与单晶硅衬底的类型没有明显的直接关系 .
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关键词
金刚石膜
定向生长
MWPCVD
微波法
制备
原文传递
题名
微波方法制备(100)晶面取向的金刚石薄膜
被引量:
2
1
作者
顾长志
金曾孙
吕宪义
邹广田
坂本幸弘
高谷松文
机构
吉林
大学
超硬材料国家重点实验室
日本千叶工业大学精密机械工学科
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期647-651,共5页
基金
国家教委博士点基金!(批准号 :951830 7)资助项目
文摘
采用MWPCVD制备金刚石膜的方法 ,以甲烷和一氧化碳为碳源气体 ,在适当的衬底温度与反应气体配比条件下 ,通过使衬底匀速转动 ,合成出具有 (10 0 )晶面取向的均匀生长的金刚石薄膜 ,在优化的工艺条件下这种定向金刚石膜的生长与单晶硅衬底的类型没有明显的直接关系 .
关键词
金刚石膜
定向生长
MWPCVD
微波法
制备
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TB43 [一般工业技术]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微波方法制备(100)晶面取向的金刚石薄膜
顾长志
金曾孙
吕宪义
邹广田
坂本幸弘
高谷松文
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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参考文献
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